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本发明涉及形成包括屏蔽区的形状阵列的图形的方法。在衬底上形成具有第二光敏性的第二光致抗蚀剂。在第二光致抗蚀剂上形成具有大于第二光敏性的第一光敏性的第一光致抗蚀剂。优选地，第一光致抗蚀剂为在曝光后变为透明的灰抗蚀剂。采用具有第一图形的第一母掩...
该专利属于国际商业机器公司;英芬能技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;英芬能技术公司授权不得商用。

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