【技术实现步骤摘要】
201410747759
【技术保护点】
一种形成应力结构的方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供一预设有第一类型器件区域和第二类型器件区域的衬底；在位于所述第一器件区域和所述第二器件区域中的衬底上均设置有栅堆叠结构，且位于所述栅堆叠结构的相对两侧的衬底中还均形成有漏极区和源极区；步骤S2、刻蚀部分位于所述源极区和所述漏极区的衬底，以形成位于所述第一类型器件区域中的第一凹槽和位于所述第二类型器件区域中的第二凹槽；步骤S3、于所述第一凹槽和所述第二凹槽中均形成第一类型的应力结构后，对所述第二类型器件区域进行掺杂工艺，以将位于所述第二凹槽中的第一类型的应力结构转变为第二类型的应力结构；其中，所述第一凹槽包括位于所述第一器件区域的源极凹槽和漏极凹槽，所述第二凹槽包括位于所述第二器件区域的源极凹槽和漏极凹槽，所述第一类型的应力结构有益于所述第一器件区域中的多数载流子的迁移，所述第二类型的应力结构有益于所述第二器件区域中的多数载流子的迁移。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，张城龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。