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本发明提供一种形成应力结构的方法，通过对一预设有第一类型器件区域和第二类型器件区域的衬底同时刻蚀形成第一器件区域中的第一凹槽和位于第二器件区域中的第二凹槽，并形成第一类型的应力结构，再通过掺杂工艺将位于第二类型器件区域的第一类型的应力结构转...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。