【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件
，特别是，涉及一种沟槽型FRD芯片。
技术介绍
FRD即快恢复二极管，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。快恢复二极管的内部结构是PN 二极管与肖特基二极管并联结构，其按功能区域划分包括芯片中间的工作区即有源区和工作区四周的耐压环(保护环)区域即终端区。传统FRD芯片结构复杂，制造工艺一般需要4-6道光刻工序，随着光刻次数的增多，芯片的制作成本也随之增高，且由于产品结构的局限性，其正向压降较高，且存在一定的漏电风险，安全性较差。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种沟槽型FRD芯片，其沟槽型结构有效的减少了正向压降，降低了漏电的风险，保证了其使用过程中的高效和安全，且结构简单，有效的降低了生产成本。为解决上述问题，本技术所采用的技术方案如下:—种沟槽型FRD芯片，包括N+衬底层、N-外延层、P型掺杂区、氧化层、铝层和金属层，所述N-外延层设置在N+衬底层上，所述P型掺杂区设置在N-外延层上，所述氧化层设置在终端区的P型掺杂区上，所述铝层设置在有源区的P型掺杂区上，所述金属层设置在N+衬...
【技术保护点】
一种沟槽型FRD芯片，其特征在于，包括N+衬底层、N‑外延层、P型掺杂区、氧化层、铝层和金属层，所述N‑外延层设置在N+衬底层上，所述P型掺杂区设置在N‑外延层上，所述氧化层设置在终端区的P型掺杂区上，所述铝层设置在有源区的P型掺杂区上，所述金属层设置在N+衬底层远离N‑外延层的一侧，所述终端区的P型掺杂区内刻蚀有终端区沟槽，所述有源区的P型掺杂区内刻蚀有有源区沟槽，所述终端区沟槽和有源区沟槽内填充有氧化物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周炳，石英学，张志娟，郝建勇，
申请(专利权)人：张家港意发功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。