水平结构的LED芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种水平结构的LED芯片，正装或倒装的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN层上涂覆一层透明SiO2绝缘层，并在n-GaN和p-GaN层上分别镀上电极。正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石或碳化硅。透明SiO2绝缘层的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。本实用新型专利技术的水平结构的LED芯片使得LED芯片在封装制造中，能够像传统贴片电阻、电容那样，用固晶机或贴片机直接贴到基板或支架上，相比较于传统的LED封装制造，适用于更多的LED芯片的封装方式、增加了LED芯片的封装基板材料、提高了LED芯片的封装效率、提升了LED芯片的封装产能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED芯片，特别涉及一种水平结构的LED芯片。
技术介绍
LED是发光二极管(LED, Lighting emitted diode),是利用在电场作用下，PN结发光的固态发光器件。具有高寿命/环保/节能的特点，是绿色环保的新光源。LED技术日趋发展成熟，目前通常LED发白光是通过蓝色芯片激发黄绿荧光粉，进行波长调和而产生出的白光，市场上大规模生产的暖白光效率达到120 lm/W，超过大部分传统光源。一般而言，LED 是通过 MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化合物化学气相沉淀)在蓝宝石衬底或碳化硅衬底上长出P型层、η型层以及ρ-η结发光层，然后通过点亮、切割、扩散颗粒、分等级等工艺做成不同尺寸的芯片，一般而言有10*10 mil,10*23 mil, 24*24 mil, 40*40 mil等尺寸，可以承受从IOmA IA的恒流电流驱动。传统的封装是将这些芯片固定在一个封装支架上，通过金线焊接芯片的阴极和阳极，通入电流来驱动LED发出蓝色单波长光，从而激发黄绿荧光粉形成白光。支架一般采用工程塑料或者是带金属热沉的塑料，然后通过底部反射来增加其光萃取率，或者是通过硅胶，树脂或玻璃成型或带二次光学透镜来改变内部材料的折射率，从而增加其出光。传统的封装方式，对于LED芯片的光利用率相当低，一般来讲，LED芯片背面侧面发出的光经过反射/折射之后，其光利用率不超过40%，而LED芯片在背面侧面发出的光占其整个芯片出光的60%，意味着接近有40%的光是被浪费掉的。另外传统的荧光粉点胶工艺，因为荧光粉贴近温度较高的芯片发热源，从而导致荧光粉效率降低，也会影响出光效果。出光效率的降低则意味着发热量的增加，从而对电子元器件的可靠性产生影响，这都是相互影响的结果。由于LED芯片通过封装成LED组件，然后在分别焊接在铝基板上，配上适合的驱动电源和结构壳体，最后做成整灯进行销售。这中间有过多的环节造成效率和成本的浪费。因此，基于简化的目的，通过设计一种最简单的封装结构，提高整体系统出光效率并降低成本。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服LED芯片封装制造中由于现有LED芯片设计使LED芯片制造效率低的缺点，提供一种电极高度相同或相近的水平结构LED的芯片。为此，本技术的技术方案是:一种水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN基层，正装或倒装的LED芯片及GaN层、n_GaN层和p-GaN层上涂覆一层透明Si02绝缘层，并在n_GaN和p-GaN层上分别镀上电极。正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石或碳化硅。透明Si02绝缘层的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。本技术的有益效果是:本专利技术的水平结构的LED芯片使得LED芯片在封装制造中，能够像传统贴片电阻、电容那样，用固晶机或贴片机直接贴到基板或支架上，相比较于传统的LED封装制造，适用于更多的LED芯片的封装方式、增加了 LED芯片的封装基板材料、提高了 LED芯片的封装效率、提升了 LED芯片的封装产能。附图说明图1是本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术作进一步说明。如图1所示，本技术的水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n-GaN层5和ρ-GaN层2、透明Si02绝缘层3、正、负电极1，4等正装或倒装LED芯片的GaN层、n-GaN层5和ρ-GaN层2上涂覆一层透明Si02绝缘层3，并在n-GaN层5和p-GaN层2上分别镀上电极。正装芯片或倒装LED芯片芯片的衬底为透明基板，蓝宝石6 (AL203)或碳化硅(SiC)0透明Si02绝缘层的材料为，硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。如图1所示，水平结构LED芯片在蓝宝石6或碳化硅衬底上生长n_GaN层5(包括GaN缓冲层、GaN非掺杂层)，在n_GaN层5上生长p-GaN层2，在p-GaN层2上生长透明Si02绝缘材料层3，硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。最后生长正电极I和负电极4电极(金、银、铜及合金材料)。权利要求1.一种水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n-GaN层(5)和p-GaN层(2)，其特征在于:所述正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n_GaN层(5)和p-GaN层(6)上涂覆一层透明Si02绝缘层(3)，并在η-GaN层(5)和ρ-GaN层(2)上分别镀上电极。2.根据权利要求1所述的水平结构的LED芯片，其特征在于:所述正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石(6)或碳化硅。3.根据权利要求1所述的水平结构的LED芯片，其特征在于:所述透明Si02绝缘层(3)的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。专利摘要本技术涉及一种水平结构的LED芯片，正装或倒装的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN层上涂覆一层透明SiO2绝缘层，并在n-GaN和p-GaN层上分别镀上电极。正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石或碳化硅。透明SiO2绝缘层的材料为硅胶，树脂或者是非导电有机薄膜。本技术的水平结构的LED芯片使得LED芯片在封装制造中，能够像传统贴片电阻、电容那样，用固晶机或贴片机直接贴到基板或支架上，相比较于传统的LED封装制造，适用于更多的LED芯片的封装方式、增加了LED芯片的封装基板材料、提高了LED芯片的封装效率、提升了LED芯片的封装产能。文档编号H01L33/48GK203026553SQ20122066416公开日2013年6月26日 申请日期2012年12月6日 优先权日2012年12月6日专利技术者瞿崧, 文国军, 严华锋 申请人:上海顿格电子贸易有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水平结构的LED芯片，包括正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n?GaN层（5）和p?GaN层（2），其特征在于：所述正装结构或倒装结构的LED芯片及GaN层、n?GaN层（5）和p?GaN层（6）上涂覆一层透明SiO2绝缘层（3），?并在n?GaN层（5）和p?GaN层（2）上分别镀上电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：瞿崧，文国军，严华锋，
申请(专利权)人：上海顿格电子贸易有限公司，
类型：实用新型
国别省市：