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本实用新型涉及一种水平结构的LED芯片，正装或倒装的LED芯片及GaN层、n-GaN层和p-GaN层上涂覆一层透明SiO2绝缘层，并在n-GaN和p-GaN层上分别镀上电极。正装芯片或倒装LED芯片的衬底为透明基板，蓝宝石或碳化硅。透明Si...
该专利属于上海顿格电子贸易有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海顿格电子贸易有限公司授权不得商用。

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