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本发明涉及半导体技术，特别涉及一种高耐压低导通压降的金属氧化物半导体二极管。该金属氧化物半导体二极管具有电子积累层结构和结型场效应管结构，二极管可以获得较低的导通压降；同时采用掺杂浓度较高的N型区3，使二极管在正向导通时的导通压降进一步降低...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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