具凹槽电极与光提取结构的发光二极管晶粒及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种发光二极管晶粒及其制作方法。所述发光二极管晶粒包含：一多层的半导体基板，包含一n型限制层；一多重量子井层，电性连接所述n型限制层，用以发射电磁辐射；及一p型限制层，电性连接所述多重量子井层；多个光提取结构，位于所述n型限制层上，用以散射所述电磁辐射；以及一电极，位于一嵌入所述n型限制层的凹槽内、并接近所述多个光提取结构。所述方法包含：形成所述半导体基板；形成一凹槽于所述n型限制层内，其具有多个边墙及一平的底面；形成一电极于所述凹槽内，其包含一保形地形成于所述凹槽的边墙及底面的导电材料；平坦化所述电极；以及形成多个光提取结构于所述n型限制层内，并接近所述电极。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管晶粒，其特征在于，其包括：一多层的半导体基板，包括：一n型限制层；一多重量子井层，电性连接所述n型限制层，用以发射电磁辐射；及一p型限制层，电性连接所述多重量子井层；多个光提取结构，位于所述n型限制层上，用以散射所述电磁辐射；以及一电极，位于一嵌入所述n型限制层的凹槽内、接近所述多个光提取结构、且电性连接所述n型限制层，所述凹槽具有多个边墙及一底面，所述电极保形地形成于所述凹槽的边墙及底面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：段忠，朱俊宜，
申请(专利权)人：旭明光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：