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具凹槽电极与光提取结构的发光二极管晶粒及其制作方法技术
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文档序号:9199481
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本发明公开一种发光二极管晶粒及其制作方法。所述发光二极管晶粒包含:一多层的半导体基板,包含一n型限制层;一多重量子井层,电性连接所述n型限制层,用以发射电磁辐射;及一p型限制层,电性连接所述多重量子井层;多个光提取结构,位于所述n型限制层上...
该专利属于旭明光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旭明光电股份有限公司授权不得商用。
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