发光二极管装置及从一发光二极管增加光萃取的方法制造方法及图纸

技术编号:9061640 阅读:190 留言:0更新日期:2013-08-22 00:50
本发明专利技术公开一种从一发光二极管增加光萃取的方法及发光二极管装置,该方法包括:将一第一n掺杂层沉积在一载具基板上;将一SixNy光罩沉积在该第一n掺杂层上,其中,该SixNy光罩是具有多个开孔,是使该第一n掺杂层部分暴露;将一第二n掺杂层沉积在该SixNy光罩上,以便该第二掺杂层是亦沉积在该多个开孔;将用于发光的一主动层沉积在该第二掺杂层上;以及将一p掺杂层沉积在该主动层上,以便该SixNy光罩是降低在以下至少其一中的缺陷:该第二n掺杂层、该主动层以及该p掺杂层。本发明专利技术的制造具有SixNy层的发光二极管结构,负责从发光二极管的一表面提供增加光萃取。当与传统制造没有SixNy层的发光二极管结构时,此制造具有SixNy层的发光二极管结构是可增加发光效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种从一发光二极管增加光萃取的方法,其特征在于,是包括:将一第一n掺杂层沉积在一载具基板上;将一SiXNy光罩沉积在该第一n掺杂层上,其中,该SiXNy光罩是具有多个开孔,是使该第一n掺杂层部分暴露;将一第二n掺杂层沉积在该SixNy光罩上,以便该第二掺杂层是亦沉积在该多个开孔;将用于发光的一主动层沉积在该第二掺杂层上;以及将一p掺杂层沉积在该主动层上,以便该SixNy光罩是降低在以下至少其一中的缺陷:该第二n掺杂层、该主动层以及该p掺杂层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:陈长安
申请(专利权)人:旭明光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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