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本发明涉及一种发光二极管装置的制造方法及发光半导体结构，其中，该方法包括：提供一基板；形成一牺牲介电层于基板上，其中牺牲介电层为一具空隙结构的单层或多层结构；形成一缓冲层于牺牲介电层上；形成一发光磊晶结构于缓冲层上；形成一接合金属层于发光磊...
该专利属于隆达电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过隆达电子股份有限公司授权不得商用。

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