【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管，尤其涉及其侧壁结构。
技术介绍
如图I所示，常见的LED芯片是由基板10、半导体层11、主动层13、与半导体层15堆栈而成，且具有平整的侧壁表面。上述半导体层11与15的电性相反。在半导体层11及15上分别具有焊垫17以电性连接至外部电路。平整的侧壁表面会让主动层13发出的光产生全反射现象，进而降低LED芯片的光取出效率。为解决上述问题， 可采用干蚀刻或湿蚀刻法形成底切形状的LED芯片，如图2所示。上宽下窄的底切结构虽可增加LED芯片的光取出效率，但会破坏部分主动层13而劣化组件效能。综上所述，目前亟需新的LED芯片结构与对应的形成方法，解决平整的侧壁表面造成的全反射问题。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供一种发光二极管的形成方法，包括依序形成第一半导体层、主动层、与第二半导体层于基板上，且第一半导体层与第二半导体层的电性相反；形成沟槽穿过第二半导体层、主动层、与部分第一半导体层，以定义堆栈结构于沟槽之间；形成平坦化层于第一半导体层与第二半导体层上并填满沟槽；形成硬屏蔽图案于平坦化层上，硬屏蔽图案具有全屏蔽区与部分屏蔽区，且部分屏蔽区对...
【技术保护点】
一种发光二极管的形成方法，其特征在于，包括：依序形成一第一半导体层、一主动层、与一第二半导体层于一基板上，且该第一半导体层与该第二半导体层的电性相反；形成一沟槽穿过该第二半导体层、该主动层、与部分该第一半导体层，以定义一堆栈结构于该沟槽之间；形成一平坦化层于该第一半导体层与该第二半导体层上并填满该沟槽；形成一硬屏蔽图案于该平坦化层上，该硬屏蔽图案具有一全屏蔽区与一部分屏蔽区，且该部分屏蔽区对应该沟槽；进行一斜向离子布植穿过该部分屏蔽区，形成一图案化掺杂区于该第一半导体层的侧壁或该第二半导体层的侧壁；移除该硬屏蔽图案与该平坦化层；以及移除该图案化掺杂区，形成一图案化结构于该第...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱瑞溢，方国龙，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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