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本发明涉及发光二极管与其形成方法。本发明的发光二极管，其第一半导体层位于基板上，第一半导体层具有第一区域与第二区域，且第一区域的厚度大于第二区域的厚度。发光二极管的主动层是位于第一半导体层的第一区域上。发光二极管的第二半导体层位于主动层上，...
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