【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电致发光器件的制备方法，特别涉及一种。
技术介绍
随着超大规模集成电路和硅基电子学的发展，芯片的集成度越来越高。当代的计算机、自动控制、信息处理、通信等各个领域的发展都要求越来越快的集成电路芯片运算速度。但是随着集成电路工艺尺寸的急剧减小，由于物理效应的因素，仅仅依靠改善单个晶 体管来提高集成电路芯片的运算速度即将要达到极限。同时，晶体管之间信号传递的延迟，也制约着芯片运算速度。这种信号传递延迟是由连接晶体管的金属材料所导致的布线电容造成的。随着集成度的增加，金属连线的长度越长，信号的传输延迟越大。所以，为了增加集成电路芯片的运算速度，需要减少晶体管之间信号传递的延迟。而采用光子作为信号传输的载体，可以避免信号传递延迟的问题。而随着对硅基材料的研究进展和硅基器件工艺的发展，硅基电子产业已然非常成熟。同时，硅基电子产品的性价比非常高。所以，要解决集成电路芯片运算速度的瓶颈问题，需要实现与现有硅集成电路工艺兼容的硅基高效发光器件。提高硅基材料的发光效率，一直是人们所追求的目标。由于硅是间接带隙材料，导带和价带的极值在动量空间上不是同一点，根据动量守...
【技术保护点】
一种含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：利用等离子体增强化学气相沉积法，在硅衬底晶片上生长富硅氮化硅层；步骤2：采用高温退火的方法，使富硅氮化硅层中的富硅形成纳米晶硅，该富硅氮化硅层变为富含纳米晶硅的氮化硅层；步骤3：通过曝光、显影、定影定义发光区域，通过干法刻蚀形成有源区域；步骤4：通过电子束蒸发，在氮化硅层上面沉积金或者银薄膜，通过高温退火形成金属纳米颗粒，形成基片；步骤5：通过等离子体增强化学气相沉积法或磁控溅射的方法，在基片上制备隔离层；步骤6：通过光刻及湿法刻蚀的方法，在有源层区域上的隔离层上开电极窗口；步骤7：通过光刻、金属热蒸发...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王春霞，高洪生，阚强，陈弘达，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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