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一种含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法，包括在硅衬底晶片上生长富硅氮化硅层；采用高温退火的方法，使富硅氮化硅层中的富硅形成纳米晶硅，该富硅氮化硅层变为富含纳米晶硅的氮化硅层；定义发光区域，通过干法刻蚀形成有源区域；通过电子束蒸发，...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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