一种包括蓝宝石组合衬底的发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种包括蓝宝石组合衬底的发光器件，包括组合衬底，该组合衬底包括：蓝宝石；在蓝宝石上有一层非晶氮化铝层，非晶氮化铝层的厚度优选为300～900nm；在非晶氮化铝层上有一层单晶氮化铝薄膜，单晶氮化铝薄膜包括多个周期性排列的阵列单元，单晶氮化铝薄膜的厚度优选为20～40nm，每个阵列单元的尺寸优选为300×300nm2～1000×1000nm2，每个阵列单元之间的间隔优选为80～400nm。本发明专利技术的组合衬底具有加工方便，成本低廉的特点。同时生长的GaN外延层中位错密度非常低，可大面积生长较大厚度的GaN外延层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光器件，尤其涉及一种包括组合衬底的发光器件。
技术介绍
近年来，人们对包括发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及各类晶体管在内的GaN基电子器件和光电器件进行了大量研究，取得了很多成果。与采用GaAs或InP等材料制造的类似器件相比，由于GaN的宽带隙、高击穿场和高饱和速度灯优点，GaN基电子器件提供了出色的高电压、高功率、高温度和高频率操作。对于金属氧化物场效晶体管(MOSFET)、金属绝缘体场效晶体管(MISFET)、双极结晶体管(BJT)、异质结双极晶体管(HBT)等功率器件，它们利用了 GaN的宽带隙、高击穿场、高导热率和高电子迁移率，得到了出色的器件性倉泛。 但是，目前还没有工业化生长的大尺寸、大批量生产的适合氮化镓外延生长的单晶衬底，GaN材料只能外延生长在失配衬底上。目前，大多数GaN基半导体发光材料都是采用蓝宝石、SiC或Si作为衬底，由于上述衬底与GaN晶格失配较大，且热膨胀系数也不同，导致在上述衬底上生长的GaN外延层与衬底产生大量位错缺陷，形成半导体发光材料的非辐射复合中心；同时，由于应力的作用也限制了 GaN外延层的厚度和面积，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括蓝宝石组合衬底的发光器件，包括组合衬底，其特征在于，该组合衬底包括：蓝宝石；在蓝宝石上有一层非晶氮化铝层，非晶氮化铝层的厚度优选为300～900nm；在非晶氮化铝层上有一层单晶氮化铝薄膜，单晶氮化铝薄膜包括多个周期性排列的阵列单元，单晶氮化铝薄膜的厚度优选为20～40nm，每个阵列单元的尺寸优选为300×300nm2～1000×1000nm2，每个阵列单元之间的间隔优选为80～400nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：