【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
含氮的III-V族化合物半导体(此后称作“氮化物半导体”)具有对应于具有在红外区域至紫外区域中的波长的光的能量的带隙能量。因此，氮化物半导体可用作发光器件的材料，或用作光接受器件的材料，该发光器件发射出具有从红外区域至紫外区域的波长的光，该光接受器件接收具有从红外区域至紫外区域的波长的光。此外，构成氮化物半导体的原子之间的键联强，氮化物半导体的介质击穿电压高，且氮化物半导体的饱和电子速度高。由于这些因素，氮化物半导体可用作诸如耐高温和高输出高频晶体管的电子器件的材料。·此外，氮化物半导体将基本不危害环境，且因此作为易处理材料吸引注意力。在使用该种氮化物半导体的氮化物半导体发光器件中，通常使用量子阱结构作为发光层。当施加电压时，在发光层中的讲层内电子和空穴复合，且作为结果，产生光。发光层可具有单量子阱结构，或可以具有其中阱层和势垒层交替堆叠的多量子阱(MQW)结构。同时，已知在使用氮化物半导体的氮化物半导体发光器件中存在缺陷，其表现为所谓的V表面坑(V形表面坑)、V缺陷、或倒六棱锥(inverted hexagonal pyramid)...
【技术保护点】
一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层，其中所述多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和阱层所形成的层，该阱层的带隙能量低于势垒层的带隙能量，V表面坑部分地形成于所述多量子阱发光层中，且所述V表面坑的开始点的平均位置位于所述中间层中。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：竹冈忠士，谷善彦，荒木和也，上田吉裕，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：
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