一种发光二极管的外延片以及发光二极管制造技术

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管的外延片以及发光二极管。
技术介绍
发光二极管芯片为半导体晶体，是发光二极管的核心组件。发光二极管芯片包括外延片以及在外延片上制作的电极。其中，外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、η型层、多量子阱层和P型层，多量子阱层为由量子垒层和量子阱层交替生长形成的多层结构，且量子垒层和量子阱层由不同的材料制成，现有多量子阱层中的量子垒层一般由不掺杂的GaN制成，量子阱·层一般由InGaN制成。由于GaN量子鱼层和InGaN量子讲层之间能极差较小，电子容易在工作电压的驱动下到达P区和空穴复合，形成电子溢流，降低了发光效率。为了防止电子溢流，现有的发光二极管芯片的外延片一般会在多量子阱层和P型层之间设置电子阻挡层。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题现有的外延片中的电子阻挡层在阻挡电子的同时，也阻挡了空穴向量子阱的跃迁，并且较厚的电子阻挡层和量子垒层之间会产生晶格失配，从而形成应力聚集区，导致了靠近P型层的量子阱能带弯曲严重。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的外延片以及发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与所述量子垒层相互交替生长的量子阱层，其特征在于，所述p型层直接设于所述多量子阱层上，所述多量子阱层中的靠近所述p型层的三个所述量子垒层中的至少一个为AlxInyGa1？x？yN层，其中，0

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、η型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与所述量子垒层相互交替生长的量子阱层，其特征在于，所述P型层直接设于所述多量子阱层上，所述多量子阱层中的靠近所述P型层的三个所述量子垒层中的至少一个为AlxInyGa^yN层，其中，0〈x〈0. 5, 0<y<0. 5。2.根据权利要求I所述的外延片，其特征在于，所述多量子阱层中的靠近所述P型层的三个所述量子垒层均为AlxInyGa^yN层。3.根据权利要求I所述的外延片，其特征在于，各所述量子垒层均为AlxInyGa1^N层。4.根据权利要求I所述的外延片，其特征在于，所述AlxInyGa^N层的厚度不大...

【专利技术属性】
技术研发人员：王明军，魏世祯，胡加辉，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：