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本发明公开了一种发光二极管的外延片以及发光二极管，属于半导体技术领域。该外延片包括：衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层，多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与量子垒层相互交替生长的量子阱层，p型层直接设于多量子阱层...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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