一种防漏蓝芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的金属反射层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。

本发明公开一种倒装白光LED芯片及其制造方法，在衬底背离发光微结构一侧固定一荧光膜片，从而完成倒装LED芯片白光封装，不需要再利用环氧树脂等进行固化封装，简化封装工艺，提高封装效率；另外，本发明直接将多个发光微结构嵌入到荧光膜片中，从而...

一种LED芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。

本发明公开了一种倒装高压LED芯片，在发光微结构表面形成分布布拉格反射层，一方面将有源区发出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面将N型电极、P型电极和N型焊盘、P型焊盘隔绝起来，起到良好的钝化保护作用。

本发明公开了一种倒装高压芯片及其制作方法，在发光微结构表面形成分布布拉格反射层，一方面将有源区发出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面将N型电极、P型电极和N型焊盘、P型焊盘隔绝起来，起到良好的钝化保护作用。

一种防漏蓝芯片，具有第一通孔，且在第一通孔侧壁具有高反射性能的金属反射层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯片轴相出光，提高芯片的亮度和改善芯片的光型分布。

一种倒装LED芯片的制造方法，提供第一衬底，在所述第一衬底上依次形成发光结构和第一绝缘层，在所述第一N型电极及所述的第一绝缘层表面形成第二绝缘层，对所述第一绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述第一绝缘层和金属反射层并延伸至所述第一N型氮化镓层中...

一种具有侧壁DBR的LED芯片的制造方法，对发光结构进行刻蚀，形成第一通孔，并在第一通孔侧壁形成具有高反射性能的DBR层，这样能较好的把芯片侧面的光反射回芯片内部，减少芯片侧面出光而导致的漏蓝问题，同时，把芯片侧面的光反射回内部能增加芯...

本实用新型公开了一种孔洞电极的发光二极管，包括：衬底、氮化镓基、多个电极孔洞、电流扩展层、绝缘层和电极结构，其特征在于所述电极孔洞数量大于3，且所述电极孔洞对应的N型电极在绝缘层表面具有导电性连接，将连续的finger线变成不连续的电极...

本实用新型提供了一种紫外激光光刻装置，包括：紫外激光发生器和聚光镜组；所述紫外激光发生器用于发射紫外激光；所述聚光镜组用于将所述紫外激光聚集形成高能量的紫外激光点。其中，采用紫外激光发生器对半导体晶圆直接进行曝光，无需通过掩膜版来曝光形...

本发明提供一种氮化镓材料层表面粗化的方法，包括：提供待粗化的晶圆；将所述晶圆背离衬底一侧固定在耐腐蚀耐高温器皿中；在所述耐腐蚀耐高温器皿中加入粗化药水将第二氮化镓层表面浸泡，粗化药水至少包括过硫酸钾和氢氧化钾；采用紫外激光发生器对所述第...

本发明提供了一种紫外激光光刻方法，包括提供待光刻半导体晶圆，对所述半导体晶圆涂覆光刻胶；采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行曝光，其中，所述紫外激光发生器出射紫外激光的路径上具有聚光镜组，从而可以通过调节紫光激光的能量和大小，进而可以...

本发明提供了一种光刻装置，包括：紫外激光发生器和聚光镜组；所述紫外激光发生器用于发射紫外激光；所述聚光镜组用于将所述紫外激光聚集形成高能量的紫外激光点。其中，采用紫外激光发生器对半导体晶圆直接进行曝光，无需通过掩膜版来曝光形成所需图案。...

本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，在制作LED芯片的过程中，形成一磁性层及将磁性层固定在磁铁上，并且，在采用等离子刻蚀工艺对外延层的切割坑道进行刻蚀的过程中，对磁铁进行冷却处理，迅速将等离子刻蚀工艺产生的大量热量通过磁铁导出，提高...

一种LED芯片及其制作方法，在制作LED芯片的过程中，对金属反射层及第二金属衬底进行刻蚀形成第一坑道和第二坑道，在第二坑道形成光刻胶，利用光刻胶隔离开在第二金属衬底上形成的第三金属衬底，实现了LED芯片衬底免切割，从而避免了激光切割金属...

本发明提供了一种水导激光切割装置和切割方法，包括激光源、分光系统和多个水容器；所述激光源用于发射激光；所述分光系统用于将所述激光分成多个平行的激光束，并使所述激光束入射到对应的水容器中，所述水容器与所述激光束一一对应；所述水容器包括透光...

一种LED芯片及其制作方法，在制作LED芯片的过程中，对金属反射层及第二金属衬底进行刻蚀形成第一坑道和第二坑道，在第二坑道形成光刻胶，利用光刻胶隔离开在第二金属衬底上形成的第三金属衬底，实现了LED芯片衬底免切割，从而避免了激光切割金属...

本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，在多个发光微结构的N型电极和P型电极背离蓝宝石衬底一侧固定一基板，减薄和切割蓝宝石衬底，填充发光微结构和基板之间的空隙，激光剥离衬底，再切割成单个的LED芯片，使发光微结构充分固定在基板上，有效地...

本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，在制作LED芯片的过程中，将柔性基底固定在散热板上，并且，在采用等离子刻蚀工艺对外延层的切割坑道进行刻蚀的过程中，对散热板进行冷却处理，迅速将等离子刻蚀工艺产生的大量热量通过散热板导出，提高了散热...

本发明提供了一种倒装LED芯片测试设备及其测试方法，包括芯片转移装置、测试工作台、芯片测试装置和芯片固定装置，测试工作台为透明材质；芯片转移装置用于将薄膜上粘附的倒装LED芯片依次转移到测试工作台上；芯片测试装置用于对测试工作台上的倒装...