本实用新型公开了一种倒装LED芯片，包括：衬底、设于衬底上的外延层、裸露区域、设于第二半导体层上的透明导电层、切割道、绝缘层、反射层、第一电极和第二电极，其中，所述切割道贯穿透明导电层和外延层并延伸至衬底的表面。本实用新型的切割道直接延...

本实用新型公开了一种隐形切割LED芯片，包括衬底，其包括第一表面和第二表面，设于衬底第一表面上的发光结构，设于衬底第二表面上的划痕，所述划痕深度大于衬底厚度的五分之一，且小于衬底厚度的三分之一。本实用新型通过在衬底的第二表面设置划痕，从...

本发明公开了一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括提供发光结构，所述发光结构包括第一衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层和金属反射层；在金属反射层上依次形成第一键合缓冲层和第一键合金属层；在第二衬底上依次形成第二键合缓冲层和第二键合...

本发明公开了一种高密度微显示LED器件，包括固定基板、第一基板、垂直结构的LED芯片和第二基板，第一基板设于固定基板上，第一基板上设有多个电路层，每个电路层之间相互绝缘，电路层的下层与固定基板连接，LED芯片包括红光LED芯片、绿光LE...

本发明公开了一种LED晶圆，包括蓝宝石衬底、设于蓝宝石衬底表面的缓冲层、设于缓冲层上的非掺杂GaN层、设于非掺杂GaN层上的N型GaN层、设于N型GaN层上的有源层、设于有源层上的电子阻挡层、设于电子阻挡层上的P型GaN层、以及设于蓝宝...

本发明公开了一种用于显示器背光模块的LED芯片，包括衬底，设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底表面的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层和第一电极，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的第一反射层，以及设于第一...

本发明公开了一种柔性LED器件的制作方法，包括：提供柔性基板；在所述柔性基板上涂覆绝缘胶，并将回弹材料粘连在柔性基板上，形成回弹层；在所述弹性层上制作电路，形成电路层；将LED芯片的电极焊接在电路层上，其中，LED芯片与电路层形成导电连...

本发明公开了一种防漏电LED芯片，包括发光结构，设于第二半导体层上的透明导电层；设于第一半导体层上的第一电极，设于透明导电层上的第二电极；绝缘层，所述绝缘层覆盖在第一裸露区域的表面和侧壁、第二裸露区域的表面和侧壁、第一电极的侧壁、以及第...

本发明公开了一种稳压LED外延结构，包括衬底，设于衬底上的U型GaN层，设于U型GaN层上的N型GaN层，设于N型GaN层上的第一P型GaN层，设于第一P型GaN层上的有源层，设于有源层上的第二P型GaN层。本发明在N型GaN层和有源层...

本实用新型公开了一种倒装LED芯片，包括衬底，设于衬底上的外延层，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，贯穿第二半导体层和有源层，并设于第一半导体层上的第一电极，设于第二半导体层上的透明导电层，设于透明导电层上的第二电极和绝...

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，在衬底上依次形成缓冲层和发光结构，其中，发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属反射电极层、金属阻挡层、第一反射钝化层、第一电极和第二电极，在发光结构表面形成第二反射钝化层，对第二...

本发明公开了一种金属衬底LED芯片的制作方法，使用金属腐蚀液腐蚀金属衬底，形成单颗LED芯片，与传统的激光切割方法相比，本发明制作方法简单，操作容易，节省购买激光切割机的费用，降低成本；此外，使用激光切割方法切割金属衬底，对金属衬底产生...

本发明提供的一种抗金属迁移的LED芯片及其制作方法，在电极表面形成电极粘附层，并在LED芯片表面沉积绝缘层，所述绝缘层通过所述电极粘附层与所述第一电极和所述第二电极形成连接，保护所述第一电极和所述第二电极，减少水汽渗入，延长金属迁移距离...

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法、LED器件。其中，一种倒装LED芯片，包括衬底，设于衬底上的发光结构，设于发光结构上的绝缘层，设于绝缘层上的反射层，以及第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘上设有至少一个凹孔。本发明通过...

本发明提供了一种微小间距LED芯片及其制作方法。其中，LED芯片包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层和第一电极，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的反射层，设于反射层上的扩散阻挡层，设于扩散阻挡层上...

本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片，包括发光结构，设于第一孔洞侧壁和第一裸露区域侧壁上的绝缘层，设于绝缘层表面、第二半导体层表面、第一半导体层表面和侧壁以及衬底表面上的ITO层，其中，第一半导体层上的ITO层和绝缘层上的ITO层断开，...

本发明公开了一种LED芯片，包括衬底、外延层和电极，所述电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极的结构相同，包括本体，以及设置在本体上的悬空部，所述悬空部的面积大于本体的面积，且悬空部大于本体面积的部分结构不与LED晶圆相接触。本...

本发明公开了一种用于背光的倒装LED芯片及其制作方法。其中用于背光的倒装LED芯片包括衬底，设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、依次设于有源层上的第二半导体层和透明导电...

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法。其中，倒装LED芯片的制作方法包括：提供发光结构，对所述发光结构进行刻蚀，形成切割道，所述切割道贯穿透明导电层、第二半导体层和有源层并延伸至衬底表面，切割道进行清洗，沿着切割道对衬底进行切割。...

本实用新型公开了一种具有抗打击电极的LED芯片，包括发光结构、电极和位于电极表面的抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。本实用新型通过在电极上设置一层抗打击膜层，避免电极形...