一种隐形切割LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种隐形切割LED芯片，包括衬底，其包括第一表面和第二表面，设于衬底第一表面上的发光结构，设于衬底第二表面上的划痕，所述划痕深度大于衬底厚度的五分之一，且小于衬底厚度的三分之一。本实用新型专利技术通过在衬底的第二表面设置划痕，从而不需要对芯片的发光结构进行刻蚀来形成切割道，即切割道的宽度为0，可增加芯片的颗粒数或者提高芯片的亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种隐形切割LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种隐形切割LED芯片。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，正装LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。传统的芯片切割方式如金刚刀划片，砂轮刀锯切因其效率低，成品率不高已逐渐落伍，不能满足现代化生产的需要，目前激光切割方式正逐渐取代传统切割，成为目前主流切割方式。激光切割又分为表层切割和内部切割，即隐形切割。激光划片是一种新型的切割技术，它是随着激光技术的发展而兴起，它采用一定波长的激光聚焦在晶片表面或内部，在极短时间内释放大量的热量，使材料熔化甚至气化，配合激光头的移动或物件的移动，形成切割痕迹，实现切割的目的。表层切割采用355nm或266nm紫外激光，切割深度一般在50μm以内，难以进一步加深。隐形切割采用1064nm红外光或532nm绿光进行加工，激光作用于芯片内部某一深度，沿切割道形成激光划痕，即一个个间断的微小“爆炸点”。中国专利文献CN103811602A公开的GAN基LED芯片制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种隐形切割LED芯片，其特征在于，包括：衬底，其包括第一表面和第二表面；设于衬底第一表面上的发光结构；设于衬底第二表面上的划痕，所述划痕深度大于衬底厚度的五分之一，且小于衬底厚度的三分之一。

【技术特征摘要】
1.一种隐形切割LED芯片，其特征在于，包括：衬底，其包括第一表面和第二表面；设于衬底第一表面上的发光结构；设于衬底第二表面上的划痕，所述划痕深度大于衬底厚度的五分之一，且小于衬底厚度的三分之一。2.如权利要求1所述的隐形切割LED芯片，其特征在于，所述衬底的厚度为50-300nm。3.如权利要求2所述的隐形切割LED芯片，其特征在于，所述衬底的厚度为100-200nm。4.如权利要求3所述的隐形切割LED芯片，其特征在于，所述划痕的深度为27-53nm。5.如权利要求1所述的隐形切割LED芯片，其特征在于，所述划痕由355nm-1064nm的激光形成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔永进，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44