The invention relates to a wafer structure and a processing method thereof. The wafer comprises a chip area and a chip path area. The chip area includes a cell area, a voltage dividing ring area and a cut-off ring area. The cell area is located in the center of the chip area. The voltage dividing ring area is located between the cell area and the cut-off ring area. The chip path area is located between two adjacent cut-off ring areas and is connected with each other in the wafer. The edge etching on both sides of the scribing channel area forms discontinuous distribution and the groove spacing on both sides is arranged. The groove depth is 1 1.5 um, and the groove is filled with photosensitive polyimide. After the wafer is fabricated, the cutting stress will not destroy the structure of the chip and improve the reliability of the device.
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆结构及其处理方法
本专利技术涉及半导体工艺领域,具体涉及一种晶圆结构及其处理方法。
技术介绍
功率半导体器件包括垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)、快速恢复二极管(FRD)、肖特基二极管、瞬态电压抑制器(TVS)等。为了降低成本,在保证电流驱动能力和击穿电压足够的情况下,希望器件尺寸尽量小。功率半导体器件由晶圆制作而来,晶圆版图中包括芯片区和划片道区两种区域,芯片区就是功率半导体器件占用的区域,划片道区是在功率半导体器件加工完成后,用来将晶圆切割成一个一个的功率半导体器件的的区域。划片时,在对划片道区进行切割的过程中,都会产生应力,破坏芯片区的结构形貌,影响器件的可靠性。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶圆结构及其处理方法,减小晶圆在划片过程中对芯片区的应力,防止划片时对芯片区形貌的破坏,大大提升器件可靠性。一方面,本专利技术提供一种晶圆结构,包括芯片区和划片道区,所述芯片区包括元胞区、分压环区和截止环区,所述元胞区位于所述芯片区中心,所述分压环区位于所述元胞区和所述截止环区之间,所述划片道区位于相邻两个截止环区之间,并相互连通,所述晶圆结构还包括位于所述划片道区边界的沟槽,所述沟槽不连续分布,且两侧所述沟槽间隔设置,所述沟槽深度为1-1.5um,所述沟槽内填充满光敏聚酰亚胺。另一方面,本专利技术提供一种晶圆处理方法,所述晶圆包括芯片区和划片道区,所述晶圆的处理方法包括:在所述晶圆的芯片区形成芯片结构;对所述晶圆进行光刻形成光刻胶,所述光刻胶在所述划片道区边界形成开口,所述开口为不连续的开口,且所述开口在所述划片道区两侧间隔设置;在所述光刻胶阻 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆结构,其特征在于,包括芯片区和划片道区,所述芯片区包括元胞区、分压环区和截止环区,所述元胞区位于所述芯片区中心,所述分压环区位于所述元胞区和所述截止环区之间,所述划片道区位于相邻两个截止环区之间,并相互连通,所述晶圆结构还包括位于所述划片道区边界的沟槽,所述沟槽不连续分布,且两侧所述沟槽间隔设置,所述沟槽深度为1‑1.5um,所述沟槽内填充满光敏聚酰亚胺。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆结构,其特征在于,包括芯片区和划片道区,所述芯片区包括元胞区、分压环区和截止环区,所述元胞区位于所述芯片区中心,所述分压环区位于所述元胞区和所述截止环区之间,所述划片道区位于相邻两个截止环区之间,并相互连通,所述晶圆结构还包括位于所述划片道区边界的沟槽,所述沟槽不连续分布,且两侧所述沟槽间隔设置,所述沟槽深度为1-1.5um,所述沟槽内填充满光敏聚酰亚胺。2.根据权利要求1所述的一种晶圆结构,其特征在于,所述沟槽垂直于所述划片道区的长度为10um。3.根据权利要求1所述的一种晶圆结构,其特征在于,所述沟槽平行于所述划片道区的宽度为5-10um。4.根据权利要求1所述的一种晶圆结构,其特征在于,相邻两个所述沟槽的距离为15-20um。5.根据权利要求1所述的一种晶圆结构,其特征在于,所述划片道区两侧相对两个所述沟槽的垂直距离为40-50um。6.一种晶圆处理方法,所述晶圆包括芯片区和划片道区,其特征在于,所述晶圆的处理方法包括:在所述晶圆的芯片区形...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:盛世瑶兰深圳科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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