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本实用新型公开了一种隐形切割LED芯片,包括衬底,其包括第一表面和第二表面,设于衬底第一表面上的发光结构,设于衬底第二表面上的划痕,所述划痕深度大于衬底厚度的五分之一,且小于衬底厚度的三分之一。本实用新型通过在衬底的第二表面设置划痕,从而不...该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种隐形切割LED芯片,包括衬底,其包括第一表面和第二表面,设于衬底第一表面上的发光结构,设于衬底第二表面上的划痕,所述划痕深度大于衬底厚度的五分之一,且小于衬底厚度的三分之一。本实用新型通过在衬底的第二表面设置划痕,从而不...