一种倒装LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，在衬底上依次形成缓冲层和发光结构，其中，发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属反射电极层、金属阻挡层、第一反射钝化层、第一电极和第二电极，在发光结构表面形成第二反射钝化层，对第二反射钝化层进行刻蚀，在所述第一电极表面形成第一裸露区域，在所述第二电极表面形成第二裸露区域，在第一裸露区域形成第一焊盘，在第二裸露区域形成第二焊盘。从有源层发出的光通过金属反射电极层、第一反射钝化层和第二反射钝化层，一部分从倒装LED芯片的侧壁折射出去，一部分反射回衬底一侧，在不增加额外复杂工艺的条件下，极大地提高了有源层的出光效率，从而提高了芯片的亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及一种发光二极管
，尤其涉及一种倒装LED芯片及其制作方法。
技术介绍
LED（LightEmittingDiode，发光二极管）是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。LED芯片的发光效率主要由内量子效率和外量子效率决定。目前，LED芯片的内量子效率已经达到90%以上，但外量子效率却较低。因此，如何提高LED芯片的外量子效率，已经成为业界的重点研究方向。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种倒装LED芯片及其制作方法，工艺简单、外量子效率高。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种倒装LED芯片的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成缓冲层和发光结构，所述发光结构包括设于缓冲层表面的第一半导体层，设于所述第一半导体层表面的有源层、第一反射钝化层和第一电极，设于所述有源层表面的第二半导体层，设于第二半导体层表面的金属反射电极层，设于所述金属反射电极层表面的金属阻挡层，设于所述金属阻挡层表面的第一反射钝化层和第二电极，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成缓冲层和发光结构，所述发光结构包括设于缓冲层表面的第一半导体层，设于所述第一半导体层表面的有源层、第一反射钝化层和第一电极，设于所述有源层表面的第二半导体层，设于第二半导体层表面的金属反射电极层，设于所述金属反射电极层表面的金属阻挡层，设于所述金属阻挡层表面的第一反射钝化层和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间相互绝缘；在所述发光结构表面形成第二反射钝化层；对所述第二反射钝化层进行刻蚀，在所述第一电极表面形成第一裸露区域，在所述第二电极表面形成第二裸露区域；在所述第一裸露区域形成第一焊盘，在所述第二裸露区域形成第二焊盘...

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成缓冲层和发光结构，所述发光结构包括设于缓冲层表面的第一半导体层，设于所述第一半导体层表面的有源层、第一反射钝化层和第一电极，设于所述有源层表面的第二半导体层，设于第二半导体层表面的金属反射电极层，设于所述金属反射电极层表面的金属阻挡层，设于所述金属阻挡层表面的第一反射钝化层和第二电极，所述第一电极和所述第二电极之间相互绝缘；在所述发光结构表面形成第二反射钝化层；对所述第二反射钝化层进行刻蚀，在所述第一电极表面形成第一裸露区域，在所述第二电极表面形成第二裸露区域；在所述第一裸露区域形成第一焊盘，在所述第二裸露区域形成第二焊盘。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述发光结构的制作方法包括：在所述缓冲层表面依次形成第一半导体层、有源层和第二半导体层；对所述第二半导体层和所述有源层进行刻蚀，形成贯穿所述第二半导体层和所述有源层，并延伸至所述第一半导体层的第一通孔；在所述第二半导体层表面依次形成金属反射电极层和金属阻挡层；在所述金属阻挡层表面和第一通孔内形成第一反射钝化层；对所述第一反射钝化层进行刻蚀，在所述第一半导体成表面形成第一电极通孔，在所述金属阻挡层表面形成第二电极通孔；在所述第一电极通孔形成第一电极，在所述第二电极通孔形成第二电极，且所述第一电极和所述第二电极之间相互绝缘。3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金属反射电极层是采用沉积工艺在第二半导体层表面形成的，所述金属阻挡层是采用磁控溅射工艺在所述金属反射电极层表面形成的。4.根据权利要求2所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一电极是采用电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兵，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44