本发明公开了一种正装LED芯片及其制作方法。其中正装LED芯片包括衬底，设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉...

本发明公开了一种稳压LED芯片及其制作方法。其中，稳压LED芯片包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层和第一电极，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的电流阻挡层，设于电流阻挡层和第二半导体层上的透明导...

本发明公开了一种批量转移MicroLED芯片的方法，包括：提供一带有通孔的基板；在基板的表面喷洒吸附液体；将MicroLED芯片放置在基板的表面；使通孔处于负压状态，将MicroLED芯片吸附在通孔上；除去通孔以外的MicroLED芯片...

本实用新型公开了一种高可靠性LED芯片，包括；衬底、发光结构、第一金属层、第二金属层、凹槽、第二绝缘层、阻绝层、第一焊料层和第和焊料层，其中，所述沟槽设于第一金属层和第二金属层之间。本申请通过在芯片的表面形成贯穿整个芯片的沟槽，从而使芯...

本实用新型公开了一种倒装LED芯片，包括发光结构，所述发光结构包括衬底，设于衬底表面的第一半导体层，设于第一半导体层表面的有源层和第一电极，设于有源层表面的第二半导体层，设于第二半导体层表面的透明导电层，设于透明导电层表面的第一电极；钝...

本实用新型公开了一种铝电极LED芯片，包括衬底，设于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层，贯穿第二半导体层和有源层并设置在第一半导体层上的第一电极，设于第二半导体层上的第二电极...

本发明公开了一种导电半柔性LED基板及其制作方法、LED器件。其中，导电半柔性LED基板，包括柔性层；设置在柔性层上的电路；设置在电路上的固晶区域；设置在固晶区域上，用于焊接LED芯片的锡膏层；位于柔性层背面，并设置在锡膏层正下方的刚性...

本发明公开了一种隐形切割LED芯片及其制作方法。其中，其制作方法包括：提供衬底，其包括第一表面和第二表面；在衬底的第一表面形成发光结构；采用隐形激光切割方法在衬底的第二表面形成划痕；沿着所述划痕对衬底和发光结构进行裂片，形成单颗LED芯...

本发明公开了一种正装LED芯片及其制作方法。其中，正装LED芯片的制作方法，包括：提供一发光结构，在所述发光结构上形成电极，在所述电极表面沉积一层合金层，所述合金层由Au和Si制成。本发明通过在电极的表面形成一层合金层，减少电极中的金属...

本发明公开了一种薄膜倒装LED芯片及其制作方法。其中，薄膜倒装LED芯片的制作方法包括，提供LED晶圆；在LED晶圆上形成第二钝化层和第一键合层；提供硅基底，在其上形成第二键合层；将第一键合层与第二键合层进行键合，形成LED半成品；对所...

本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法。其中，倒装LED芯片的制作方法，包括提供一发光结构，所述发光结构包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层和第一电极，依次设于有源层上的第二半导体层、透明导电层和第二电极，...

本发明公开了一种高可靠性LED芯片的制作方法，通过在芯片的表面形成贯穿整个芯片的沟槽，从而使芯片在共晶焊接之后，通过清洗液来清洗助焊剂，并将助焊剂残留物去除。具体的，清洗液通所述沟槽可以充分浸润和清洗第一焊料层(相对与第一电极)和第二焊...

本实用新型公开了一种具有反射镜的LED芯片，包括衬底、发光结构、裸露区域、第一电极、第二电极、电流阻挡层、透明导电层、金属反射层和DBR反射层，其中所述金属反射层包括第一粘附层、反射层和第二粘附层。本申请通过在衬底的背面依次设置金属反射...

本实用新型公开了一种高亮度LED芯片，包括衬底、外延层、第一裸露区域、ITO层、第一电极、第二电极和绝缘层，其中，将所述ITO层的厚度设置在

本发明公开了一种具有抗打击电极的LED芯片制作方法，包括提供一发光结构，在所述发光结构上形成电极，在所述电极表面沉积一层抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。本发明通过在电...

本发明公开了一种具有反射镜的LED芯片的制作方法，通过在衬底的背面依次形成金属反射层和DBR反射层，有效地将芯片从背面发射出来的光反射回芯片的正面发射，从而提高芯片的出光效率。此外，本申请通过在衬底背面和DBR发射层之间设置一层金属反射...

本实用新型公开了一种具有绝缘保护结构的高亮倒装LED芯片，包括提供发光结构，对所述发光结构进行刻蚀，在发光结构表面沉积一层绝缘层，对所述绝缘层进行刻蚀，形成第一孔洞和第二孔洞，在所述绝缘层表面、第一孔洞内和第二孔洞内依次形成透明导电层、...

本发明公开了一种倒装LED芯片的制作方法，包括：提供一发光结构；在所述发光结构表面形成钝化反射层，钝化反射层包括依次形成第一钝化层、分布式布拉格反射镜层、金属反射层和第二钝化层；对所述钝化反射层进行刻蚀，将所述第一电极和第二电极裸露出来...

本发明公开了一种具有铝电极LED芯片制作方法，包括提供一衬底；在所述衬底表面形成外延层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；对所述外延层进行刻蚀，形成裸露区域，所述裸露区域贯穿所述第二半导体层和有源层...

本发明公开了一种高亮度LED芯片的制作方法，通过减少ITO层的厚度、减少湿法腐蚀的时间和减少第二裸露区域的直径，从而防止芯片的侧壁腐蚀过度、破坏LED芯片的整体结构，进而提高LED芯片的出光效率，减少生产时间，提高生产效率。