本发明提供了一种剥离发光组件衬底的方法和装置，包括：提供待剥离的发光组件，所述发光组件包括第一衬底、位于所述第一衬底一侧的氮化镓外延层和金属衬底，所述氮化镓外延层包括N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；采用激光发生器对所述第一衬底进行激...

本发明公开了一种LED芯片及其制作方法、显示装置，在多个发光微结构的第一电极和第二电极背离衬底一侧固定一基板，提高了每个LED芯片的强度，进而改善了切割时裂片的情况，提高了产品的良率；另外，本发明提供的LED芯片的连接电极设置于LED芯...

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括：制作倒装LED芯片的半成品，所述半成品至少包括透明衬底和位于所述透明衬底一侧的氮化镓外延层，所述氮化镓外延层包括N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；将所述半成品固定在切割台上，所述半成品...

本发明提供了一种LED晶粒的抽测方法和系统，包括：从已按照预设方式进行排列的待测试LED晶粒中抽选出初始晶粒，所述待测试LED晶粒来自至少一个晶圆；对初始晶粒以及与初始晶粒同一轴向的LED晶粒进行扫描，所述扫描的LED晶粒包括来自任一晶...

本发明实施例公开了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管除包括：衬底、氮化镓基、反射镜层、多个电极孔洞、绝缘层、和电极结构外，还包括位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面的导热层，从而可以在所述发光二极管工作时，利用所述导热层对所...

本实用新型实施例公开了一种发光二极管，所述发光二极管除包括：衬底、氮化镓基、反射镜层、多个电极孔洞、绝缘层、和电极结构外，还包括位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面的导热层，从而可以在所述发光二极管工作时，利用所述导热层对所述发光二...

本实用新型实施例公开了一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管，包括：位于底层的金属衬底；位于金属衬底表面的种子层；位于种子层表面的反射层；位于反射层表面的多个第一电流阻挡结构；位于第一电流阻挡结构背离反射层一侧的外延层，外延层完全覆盖第一...

本发明实施例公开了一种具有电流阻挡结构的垂直发光二极管，包括：位于底层的金属衬底；位于金属衬底表面的种子层；位于种子层表面的反射层；位于反射层表面的多个第一电流阻挡结构；位于第一电流阻挡结构背离反射层一侧的外延层，外延层完全覆盖第一电流...

本发明公开一种探针卡，包括基板、多个探针组，多个探针组设置在基板上并沿基板的长度方向分布成一行，每个探针组包括呈一列设置的用于接触LED芯片P电极的第一探针以及用于接触LED芯片N电极的第二探针，基板上设有窗口，探针组的第一探针、第二探...

本实用新型公开了一种GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管，其插入层结构为周期结构，即多个氮化铟镓层，以及相邻两个氮化铟镓层之间形成缓冲层。在前一个氮化铟镓层出现V型缺陷前，在前一个氮化铟镓层表面形成缓冲层，最大程度的避免V型缺陷...

本发明提供一种GaN基发光二极管及其制作方法，所述发光二极管的量子阱包括阱层和垒层，阱层为InxGa1-xN阱层，垒层为InyGa1-yN垒层，其中，y<x<1，0<x<1，0≤y<1，阱层和/或垒层的内部...

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法、LED发光器件，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上依次形成缓冲层、发光结构、扩散阻挡层和绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层和扩散阻挡层并延伸至所述N型氮化镓层中的第一通孔，并在所述...

本实用新型提供了一种LED芯片，包括，衬底、第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层表面包括第一子表面和第二子表面，所述第二子表面位于所述第一子表面的外围。第一电极形成在所述第一导电类型半导体层的第二子表面上，在所述第一子表面上依...

本发明提供一种发光二极管芯片中电流扩展的方法和发光二极管芯片，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括与N电极电气接触的N型约束层、被构建成发射电磁辐射的多量子阱MQW层和与P电极电气接触的P型约束层，N型约束层、P型约束层分别与多量子...

本实用新型提供了一种LED芯片，包括，衬底，所述衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；位于衬底第一表面之上的第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层之上的有源层；位于所述有源层之上的第二导电类型半导体层；位于所述第二...

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底；位于所述衬底表面下的第一半导体层；位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；位于所述有源层背离所述...

本实用新型公开一种图形衬底及LED芯片，所述图形衬底上设有至少一个图形区域、非图形区域和切割区域，每一个所述图形区域内设有多个图形单元，每一个所述图形区域的形状与需要切割的LED芯片的形状相匹配，切割区域设置于所述非图形区域。图形区域的...

本实用新型提供了一种LED发光芯片的光提取层及LED装置，所述LED发光芯片包括半导体层和与所述半导体层直接接触的光提取层，所述光提取层与所述半导体层直接接触的表面为第一表面，所述光提取层与外部介质直接接触的表面为第二表面，所述第一表面...

本发明图形衬底、LED芯片及LED芯片制备方法，图形衬底上设有至少一个图形区域、非图形区域和切割区域，每一个图形区域内设有多个图形单元，每一个所述图形区域的形状与需要切割的LED芯片的形状相匹配，切割区域设置于所述非图形区域。图形区域的...

本实用新型公开了一种LED以及侧壁图形化的LED芯片，该LED芯片包括堆栈结构、N电极和P电极，堆栈结构包括衬底、位于衬底之上的N型氮化镓层、量子阱发光层、P型氮化镓层、透明导电层，N电极位于N型氮化镓层之上，P电极位于透明导电层之上，...