The utility model discloses a LED LED chip and the side wall of the graphic, the LED chip includes a stack structure, N electrode and P electrode, the stack structure includes a substrate, the substrate is located in the N type gallium nitride layer, quantum well light emitting layer, P type gallium nitride layer, a transparent conductive layer, the N electrode is located on the N type gallium nitride layer, P electrode on the transparent conductive layer, wherein, a surface pattern structure continuous distribution rules of the side wall of the stack structure. The utility model can be used to shoot more external light incident angle less than the critical angle of total reflection from the side wall and exit to the outside, the side wall of the chip of LED is greatly improved the light extraction efficiency, so as to improve the extraction efficiency of LED chip.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED芯片领域,尤其涉及的是一种LED以及侧壁图形化的LED芯片。
技术介绍
氮化镓基LED芯片发光层在2 Ji的角度内发光,由于氮化镓的折射率与空气的折射率相差很大,参见图1,平面结构的LED芯片I侧壁结构由于内部的界面反射和材料本身吸收的损耗,造成大部分光无法穿越LED芯片侧壁与空气的界面,仅有一部分光可以从芯片内部发射出来,出光效率很低。当光线在LED芯片侧壁与空气界面处的入射角大于全反射临界角时,则发生全反射现象,这是光线无法穿越界面而发射出来的根本原因。虽然现有技术采 用腐蚀的方法在侧壁上形成一些凹凸不平整表面,如图2所示,粗化结构为多个平面组成的多面形2时,在多个平面上发生多次全反射现象重新进入芯片内部,无法出射到空气中。这种不规则的粗糙表面的效果只是稍好于平面表面结构,但是还是没有明显改善出光效率的问题。因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种侧壁图形化的LED芯片及采用该芯片的LED,旨在解决现有的LED芯片出光效率很低的问题。本技术的技术方案如下:一种侧壁图形化的LED芯片,包括堆栈结构、N电极和P电极,所述N电极和P电极设置在堆栈结构上,其中,堆栈结构的侧壁上有连续分布的有规则的曲面图形化结构。所述的侧壁图形化的LED芯片,其中,所述堆栈结构包括衬底、位于衬底之上的N型氮化镓层、量子阱发光层、P型氮化镓层、透明导电层,N电极位于N型氮化镓层之上,P电极位于透明导电层之上。所述的侧壁图形化的LED芯片,其中,所述堆栈结构包括衬底、位于衬底之下的N型氮化镓层、量子阱发光层、P型氮化镓层、反射层,N电极位 ...
【技术保护点】
一种侧壁图形化的LED芯片,包括堆栈结构、N电极和P电极,所述N电极和P电极设置在堆栈结构上,其特征在于,堆栈结构的侧壁上有连续分布的有规则的曲面图形化结构。
【技术特征摘要】
1.一种侧壁图形化的LED芯片,包括堆栈结构、N电极和P电极,所述N电极和P电极设置在堆栈结构上,其特征在于,堆栈结构的侧壁上有连续分布的有规则的曲面图形化结构。2.根据权利要求1所述的侧壁图形化的LED芯片,其特征在于,所述堆栈结构包括衬底、位于衬底之上的N型氮化镓层、量子阱发光层、P型氮化镓层、透明导电层,N电极位于N型氮化镓层之上,P电极位于透明导电层之上。3.根据权利要求1所述的侧壁图形化的LED芯片,其特征在于,所述堆栈结构包括衬底、位于衬底之下的N型氮化镓层、量子阱发光层、P型氮化镓层、反射层,N电极位于N型氮化镓层之下,P电极位于反射层之下。4.根据权利要求1所述的侧壁图形化的LED芯片,其特征在于,所述LED芯片还包括基底,所述P电极位于基底下端面,所述堆栈结构位于基底上端面,所述N电极位于堆栈结构上端面,堆栈结构包括依次层叠的P型氮...
【专利技术属性】
技术研发人员:康学军,李鹏,张冀,
申请(专利权)人:佛山市国星半导体技术有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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