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佛山市国星半导体技术有限公司专利技术
佛山市国星半导体技术有限公司共有383项专利
GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法技术
本发明公开了一种GaN基蓝绿光LED外延结构,涉及半导体光电器件领域。其中,GaN基蓝绿光LED外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、位错调控层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层;其中,所述位错...
倒装LED芯片阵列及其制备方法技术
本发明公开了一种倒装LED芯片阵列及其制备方法,涉及发光二极管技术领域。制备方法包括以下步骤:(1)将倒装LED芯片的衬底一侧固定到胶膜层上,得到芯片阵列;(2)将芯片阵列的焊盘焊接到封装基板的焊点上;剥离胶膜层,得到焊接阵列;(3)去...
高可靠性LED及其制备方法技术
本发明公开了一种高可靠性LED及其制备方法,涉及发光二极管技术领域。制备方法包括:提供外延片,形成光刻胶层;将光刻胶层曝光显影形成具有底切部的第一孔洞,在第一孔洞中形成至少一层第一金属层;在60℃~120℃烘烤5min~15min,以使...
一种同时激发出双色光谱的外延结构及其制备方法技术
本发明公开了一种同时激发出双色光谱的外延结构及其制备方法,其中,多量子阱层包括依次生长于电子注入层上的第一量子层、第二量子层和第三量子层;第一量子层为3‑10个周期的In<subgt;x1</subgt;Ga<subg...
一种LED芯片分选用承载装置制造方法及图纸
本技术公开了一种LED芯片分选用承载装置,包括承载环和基座环,承载环和基座环固定连接,承载环位于基座环上,承载环沿着自身的厚度方向贯穿设置有多个通气孔,基座环的内部设置有环形空腔,多个通气孔和环形空腔连通;基座环的底部设置有至少一个螺纹...
一种LED器件的多层全介质膜层衬底及制备方法技术
本发明公开了一种LED器件的多层全介质膜层衬底及制备方法,所述LED器件的多层全介质膜层衬底包括:衬底、设置在衬底上的多层全介质膜层,覆盖在在所述多层全介质膜层上的外延层;所述多层全介质膜层包括若干个子介质层单元,任一所述子介质层单元包...
蓝宝石衬底GaN基HEMT器件外延片及其制备方法、HEMT器件技术
本发明公开了一种蓝宝石衬底GaN基HEMT器件外延片的其制备方法,包括以下步骤:提供蓝宝石衬底;在所述蓝宝石衬底上依次生长AlGaN层、GaN层、非掺杂GaN层、U‑GaN层和AlGaN异质结层;所述AlGaN层的生长温度为100℃~6...
一种高可靠性的蓝宝石衬底GaN功率器件及其制备方法技术
本发明公开了一种高可靠性的蓝宝石衬底GaN功率器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,包括蓝宝石衬底、GaN高阻缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、栅极台面结构、第一钝化层、电极层和第二钝化层,电极层包括源极电极、栅极电极和漏极电...
一种mini-LED晶粒分选方法及分选设备技术
本发明公开了一种mini‑LED晶粒分选方法及设备,包括:调整第一蓝膜和第二蓝膜的相对位置,驱动顶针组件贴合在第一蓝膜对应待分选mini‑LED晶粒位置的背面,驱动吸附组件贴合在第二蓝膜对应分选位置的背面;驱动顶针组件的顶针向第一蓝膜伸...
一种GaN功率器件的制备方法、GaN功率器件技术
本发明公开了一种GaN功率器件的制备方法,通过将蓝宝石衬底GaN功率器件晶圆转移到磁性衬底上,再通过激光剥离的方式照射到蓝宝石与GaN材料之间的剥离层,使得蓝宝石与GaN材料之间可以进行低损伤分离,而后通过共晶键合的方式将高导热衬底通过...
一种LED晶圆片的裂片方法技术
本发明公开了一种LED晶圆片的裂片方法,涉及半导体技术领域,包括:在LED晶圆片的正面贴上白膜,并背面朝上放置在裂片机的工作台上;复位裂片机的劈刀和承受台;获取LED晶圆片正面的原始晶粒图像,并进行晶粒分区,LED晶圆片的内接正方形区域...
一种钙钛矿量子点光刻胶及其制备方法与应用方法技术
本发明公开了一种钙钛矿量子点光刻胶及其制备方法与应用方法,涉及光刻胶技术领域,包括以下步骤:S11、制备CsPbBr<subgt;3</subgt;钙钛矿量子点溶液;S12、制备光敏剂溶液;S13、制备钙钛矿量子点光刻胶。本...
一种LED封装器件的制备方法及LED封装器件技术
本发明公开了一种LED封装器件的制备方法及LED封装器件,制备方法包括:提供一临时载板,在临时载板上制备形成钝化层;在钝化层上制备一层图案化掩膜,在钝化层上蒸镀形成若干个图案化金属层;在图案化金属层上设定芯片安装位置,并在芯片安装位置涂...
一种具有保护层的封装器件及其制作方法技术
本发明公开了一种具有保护层的封装器件及其制作方法,涉及半导体器件技术领域,包括以下步骤:S1、提供封装器件,所述封装器件包括基板、固定在所述基板上的半导体元件和覆盖所述半导体元件的封装胶层;S2、沿着所述封装器件的侧面和上表面沉积形成S...
一种LED封装器件的制备方法技术
本发明公开了一种LED封装器件的制备方法,其方法包括:在临时载板的顶面上粘贴一层耐高温PET双面胶带;在耐高温PET双面胶带上形成若干个图案化金属层;通过压胶工艺在所述耐高温PET双面胶带上压合形成包覆所述LED芯片的封装胶体;通过切割...
一种制造技术
本发明公开了一种
一种蓝宝石衬底制造技术
本发明公开了一种蓝宝石衬底
一种制造技术
本发明公开了一种
一种LED芯片结构制造技术
本发明公开了一种LED芯片结构,所述LED芯片结构包括衬底、层叠在衬底上的发光层和导电层,LED芯片结构上设置对称分布的两个焊盘区域,焊盘区域内填充有金锡材料;LED芯片结构设置有若干个孔洞,若干个孔洞对称分布在两个焊盘区域内,金锡材料...
高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED技术
本发明公开了一种高亮度发光二极管外延结构及其制备方法、LED,涉及半导体光电器件领域。其中,高亮度发光二极管外延结构,包括衬底,依次层叠的缓冲层、未掺杂GaN层、N
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