本实用新型公开了一种集成结构的微型LED芯片及LED显示屏，涉及半导体光电器件领域。其中，微型LED芯片包括：衬底、三个微型LED芯片本体、至少四个焊盘和量子点彩层；所述焊盘包括正极焊盘和负极焊盘，三个微型LED芯片本体的正极与同一正极...

本实用新型公开了一种LED芯片抗水解性能测试系统，涉及LED芯片测试装置领域。该测试系统包括：测试腔；湿度调节装置，其与所述测试腔连通；温度调节装置，其与所述测试腔连通，以通过预设温度的气体调节测试腔内的温度和压力；电路板，其设于所述测...

本发明公开了一种高稳定性倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N

本发明公开了一种LED芯片钝化层致密性的检测方法，涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域。该检测方法包括：先在衬底上依次沉积待腐蚀层和钝化层，然后采用腐蚀液腐蚀待腐蚀层，最后根据腐蚀情况判断钝化层的致密性。其中，待腐蚀层采用金属层和/...

本发明公开了一种高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法，涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域。其中，外延结构的制备方法包括：提供衬底，分别生长缓冲层、u

本发明公开了一种LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法，涉及半导体光电器件测试领域。该抽检方法包括：S1：根据电极形成的批次对晶圆进行分类，得到分类后的多个晶圆组；S2：对每组晶圆组进行抽样并标记，以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶...

本发明公开了一种miniLED晶圆的测试方法及装置，涉及半导体光电器件测试领域。该测试方法包括：S1：以预设电信号驱动晶圆上的目标miniLED芯片，以测量该目标miniLED芯片的当前光电参数，所述当前光电参数与预设电信号一一对应；S...

本发明公开了一种设有布拉格反射镜的外延结构及其制备方法、LED芯片，所述外延结构包括依次设置的GaN复合层、布拉格反射镜、N

本申请公开了一种LED晶粒的排列方法、成品方片，所述排列方法包括：设定坐标文档，所述坐标文档包括虚拟坐标信息；设定图形文档，所述图形文档包括原点信息和移动距离信息；将坐标文档和图形文档合并，获得排列图形文档；根据所述坐标文档和排列图形文...

本申请公开了一种LED晶圆的分选方法，包括：将LED晶圆分成若干个区块，所述区块上的LED晶粒分为保留晶粒和抓取晶粒，所述保留晶粒的光电性能和晶粒数量符合预设要求，所述抓取晶粒的光电性能和晶粒数量不符合预设要求，其中，所述保留晶粒的晶粒...

本发明公开了一种LED晶粒的抽检方法及系统，所述抽检方法包括：对LED晶圆进行测试，以获取LED晶粒的测试数据；根据所述LED晶粒的测试数据，将LED晶粒分成若干个分类等级，并从所述分类等级中选出必抽等级，所述必抽等级对应的LED晶粒为...

本发明公开了一种LED晶粒外观检测方法，包括对LED晶粒进行光学检测，获得外观参数文档；根据所述外观参数文档将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶粒和可疑晶粒；获取可疑晶粒的图片，并根据所述可疑晶粒的图片判断所述可疑晶粒的外观缺...

本申请公开了一种Mini LED的分选排列方法和系统，所述分选排列方法包括：设定成品排列区上的初始位置和晶粒间距，并根据所示初始位置和所示晶粒间距获得虚拟绝对坐标；从分选晶粒中选取初始晶粒，其余的分选晶粒为待排列晶粒，所述分选晶粒来自至...

本发明公开了一种集成式微型LED芯片及其制作方法，包括基板、发光层、金属连接层和封装层，所述发光层包括量子点层和发光件，所述金属连接层包括焊点层，所述发光件包括第一电极和第二电极，所述量子点层与所述发光件对应设置，所述焊点层包括第一焊点...

本发明公开了一种倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N

本发明公开了一种废弃蓝宝石衬底的再生方法，其包括：将废弃蓝宝石衬底采用第一溶液清洗；在1100～1400℃下进行热处理；再用第一溶液清洗，最后用氧化性溶液清洗，即得到再生蓝宝石衬底。其中，热处理过程中维持混合气体气氛，所述混合气体为氢气...

本发明公开了一种LED芯片的混合方法，包括以下步骤：S1、将x个晶圆的LED芯片进行初次分选，同一个晶圆的LED芯片若属于同一个档位区间，则置于同一张方片上；S2、将步骤S1中每张方片上的LED芯片分别分成m行和n列，每张方片各选取1列...

本发明公开了一种高亮度倒装LED芯片及其的制备方法，所述制备方法包括：S1、将发光结构固定在涂有填充物的基板上；S2、去除发光结构上的衬底，将第一半导体层裸露出来；S3、采用等离子去胶机来清洗发光结构，并对第一半导体层进行氧化和粗化，以...

本实用新型公开了一种低空洞率的倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层...

本发明涉及一种基于GaN微米线阵列光探测器芯片叉指电极及其制备方法，该叉指电极以特定的方向位于GaN微米线阵列表面，为肖特基接触的合金电极层，该合金电极层由依次层叠的金属肖特基接触层、金属加厚层、金属黏附层和金属抗氧化层组成；形状上，该...