集成结构的微型LED芯片及LED显示屏制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成结构的微型LED芯片及LED显示屏，涉及半导体光电器件领域。其中，微型LED芯片包括：衬底、三个微型LED芯片本体、至少四个焊盘和量子点彩层；所述焊盘包括正极焊盘和负极焊盘，三个微型LED芯片本体的正极与同一正极焊盘电连接，三个微型LED芯片本体的负极分别与不同的负极焊盘电连接；以使三个微型LED芯片本体并联；所述量子点彩层包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，其分别与三个微型LED芯片本体对应设置，以使三个微型LED芯片分别发出红光、绿光和蓝光。实施本实用新型专利技术，可去除巨量转移工艺，提升良率，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
集成结构的微型LED芯片及LED显示屏


[0001]本技术涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种集成结构的微型LED芯片及LED显示屏。

技术介绍

[0002]在显示领域，微型LED芯片(MicroLED)相对主流的OLED具有更高的发光效率、对比度和效能，因此更具优势。但基于MicroLED的显示屏在制备的过程中，先需要制备MicroLED，然后将其转移到晶体管驱动器上。由于转移的MicroLED数目庞大，因此良率和成本一直是限制其发展的瓶颈。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题在于，提供一种集成结构的微型LED芯片，其无需巨量转移，良率高，生产成本低。
[0004]本技术还要解决的技术问题在于，提供一LED显示屏。
[0005]为了解决上述问题，本技术公开了一种集成结构的微型LED芯片，其包括：衬底、三个微型LED芯片本体、至少四个焊盘和量子点彩层；所述焊盘包括正极焊盘和负极焊盘，三个微型LED芯片本体的正极与同一正极焊盘电连接，三个微型LED芯片本体的负极分别与不同的负极焊盘电连接；以使三个微型LED芯片本体并联；
[0006]所述量子点彩层包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，其分别与三个微型LED芯片本体对应设置，以使三个微型LED芯片分别发出红光、绿光和蓝光。
[0007]作为上述技术方案的改进，所述微型LED芯片本体为倒装结构，其设于所述衬底的正面，所述焊盘设于所述衬底的正面，所述量子点彩层设于所述衬底的背面。
[0008]作为上述技术方案的改进，所述微型LED芯片本体上还覆盖有全黑挡光层，其厚度为0.5～5μm；
[0009]所述全黑挡光层由氧化钛制成。
[0010]作为上述技术方案的改进，所述微型LED芯片本体上还覆盖有钝化保护层，其设于所述全黑挡光层的下方；
[0011]所述钝化保护层的厚度为0.2～5μm，所述钝化保护层由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种制成。
[0012]作为上述技术方案的改进，所述焊盘包括一个正极焊盘和三个负极焊盘；三个所述微型LED芯片本体的正极分别通过正极金属线与所述正极焊盘电连接；三个所述微型LED芯片本体的负极分别通过负极金属线与不同的负极焊盘电连接。
[0013]作为上述技术方案的改进，所述焊盘包括一个正极焊盘和三个负极焊盘，三个所述微型LED芯片本体的正极依次通过正极金属线电连接，其中一个所述微型LED芯片本体的正极通过正极金属线与正极焊盘电连接；三个所述微型LED芯片本体的负极分别通过负极金属线与不同的负极焊盘电连接。
[0014]作为上述技术方案的改进，所述衬底为石英衬底，其长度为5～10mil，宽度为5～10mil；所述微型LED芯片本体的长度为1～3mil，宽度为0.5～2mil；所述焊盘的长度为1～3mil，宽度为1～3mil。
[0015]作为上述技术方案的改进，所述焊盘包括两个正极焊盘和三个负极焊盘，三个所述微型LED芯片本体的正极与其中一个正极焊盘电连接，两个正极焊盘之间通过金属线电连接；三个所述微型LED芯片本体的负极分别通过负极金属线与不同的负极焊盘电连接。
[0016]作为上述技术方案的改进，所述焊盘靠近所述衬底的边缘设置，所述微型LED芯片本体靠近所述衬底的中央设置。
[0017]相应的，本技术还公开了一种LED显示屏，其包括上述的集成结构的微型LED芯片。
[0018]实施本技术，具有以下有益效果：
[0019]1，本技术的集成结构的微型LED芯片，将三个微型LED芯片本体通过至少四个焊盘形成并联连接，以使得其可单独驱动。并在三个微型LED芯片本体对应的位置设置了量子点彩层，以使得三个微型LED芯片本体可分别发出红光、绿光和蓝光，从而成为一个完整、可控的像素点。进而无需后续巨量转移，解决了传统微型LED芯片制备显示屏过程中存在的良率低、成本高的技术问题。
[0020]2，本技术的集成结构的微型LED芯片，采用倒装结构的微型LED芯片本体，其在后续封装时无需打线，可采用焊盘直接进行焊接，节省了封装环节的打线成本。进一步的，通过在倒装结构的微型LED芯片上覆盖全黑挡光层，能有效增强对比度，提供更好的HDR。
[0021]3，本技术的集成结构的微型LED芯片，其正极与同一正极焊盘连接，方便微型LED芯片的布局。本技术的微型LED芯片布局和构造灵活多变，也可直接封装在线路板上，免除封装制程，整体成本低。
附图说明
[0022]图1是本技术实施例1中集成结构的微型LED芯片的结构示意图；
[0023]图2是图1中A
‑
A方向的剖面图；
[0024]图3是图1中B
‑
B方向的剖面图；
[0025]图4是技术实施例2中集成结构的微型LED芯片的结构示意图；
[0026]图5是技术实施例3中集成结构的微型LED芯片的结构示意图；
[0027]图6是技术实施例4中集成结构的微型LED芯片的结构示意图；
[0028]图7是技术实施例5中集成结构的微型LED芯片的结构示意图；
[0029]图8是技术实施例6中集成结构的微型LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0030]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本技术作进一步地详细描述。
[0031]实施例1
[0032]参考图1，本实施例提供一种集成结构的微型LED芯片，其包括衬底1、三个微型LED
芯片本体2、四个焊盘3和量子点彩层4。其中，微型LED芯片本体2为倒装结构，其与焊盘3设置在衬底1的正面，量子点彩层4设置在衬底2的背面。基于这种结构，将三个微型LED芯片本体2集成为一个RGB像素点，无需后期巨量转移，提升了良率，提升了生产效率，节省了生产成本。
[0033]其中，倒装结构的微型LED芯片本体2的结构与本领域常见的倒装微型LED芯片的结构相同，在此不再赘述。
[0034]其中，焊盘3包括1个正极焊盘31和3个负极焊盘32，三个微型LED芯片本体2的正极与正极焊盘31电连接。三个微型LED芯片本体2的负极分别与三个负极焊盘32电连接，基于上述结构，可使得三个微型LED芯片本体2并联，方便单独驱动。
[0035]具体的，参考图1，四个焊盘3分布在衬底1的四个角落，微型LED芯片本体2分布在衬底1的中央区域。基于上述结构，可便于后期焊接。在本实施例中，三个微型LED芯片本体2相互平行，且与衬底1平行，三个微型LED芯片本体2呈同列设置。三个微型LED芯片本体2的正极之间通过正极金属线21电连接，其中一个微型LED芯片的正极通过正极金属线21与正极焊盘31电连接。三个微型LED芯片本体2的负极分别通过不同的负极金属线22与三个不同的负极焊盘32依次电连接。具体的，正极金属线21、负极金属线22可为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成结构的微型LED芯片，其特征在于，包括：衬底、三个微型LED芯片本体、至少四个焊盘和量子点彩层；所述焊盘包括正极焊盘和负极焊盘，三个微型LED芯片本体的正极与同一正极焊盘电连接，三个微型LED芯片本体的负极分别与不同的负极焊盘电连接；以使三个微型LED芯片本体并联；所述量子点彩层包括红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，其分别与三个微型LED芯片本体对应设置，以使三个微型LED芯片分别发出红光、绿光和蓝光。2.如权利要求1所述的集成结构的微型LED芯片，其特征在于，所述微型LED芯片本体为倒装结构，其设于所述衬底的正面，所述焊盘设于所述衬底的正面，所述量子点彩层设于所述衬底的背面。3.如权利要求2所述的集成结构的微型LED芯片，其特征在于，所述微型LED芯片本体上还覆盖有全黑挡光层，其厚度为0.5～5μm；所述全黑挡光层由氧化钛制成。4.如权利要求3所述的集成结构的微型LED芯片，其特征在于，所述微型LED芯片本体上还覆盖有钝化保护层，其设于所述全黑挡光层的下方；所述钝化保护层的厚度为0.2～5μm，所述钝化保护层由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种制成。5.如权利要求1～4任一项所述的集成结构的微型LED芯片，其特征在于，所述焊盘包括一个正极焊盘和三个负极焊盘；三个所述微型LED芯片本体的正极分别通过正极金属线与所述正极焊盘电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆绍坚，黎银英，徐亮，李瑞迪，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：