发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件，使发光分布改善。发光元件具有：半导体层压体，其包括：具有第一部分以及位于所述第一部分的内侧的第二部分且包括第一边、第二边、第三边以及第四边在内的俯视形状为四边形的第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及活性层，所述第一部分包括：位于所述第二部分的外周的外周部、以及从所述外周部向所述第二部分延伸的多个延伸部；绝缘层，其具有分别位于所述多个延伸部上的第一贯通孔、以及位于所述第二半导体层上的第二贯通孔；第一电极，其与第一半导体层连接；第二电极，其与所述第二半导体层连接；第一外部连接部，其与所述第一电极连接；第二外部连接部，其与所述第二电极连接。所述第二半导体层包括被与所述第一边正交且将所述第一边二等分的第一虚拟线、以及与所述第二边正交且将所述第二边二等分的第二虚拟线划分的四个区域，四个所述区域包括：配置有所述第一外部连接部的第一区域、与所述第一区域相邻的第二区域、与所述第一区域相邻的第三区域、以及与所述第二区域相邻且配置有所述第二外部连接部的第四区域。第二外部连接部的第四区域。第二外部连接部的第四区域。

【技术实现步骤摘要】
发光元件


[0001]本专利技术涉及发光元件。

技术介绍

[0002]在专利文献1中已经公开一种发光元件，该发光元件在n侧半导体层之 上设置的p侧半导体层上设有覆盖p侧半导体层、且具有开口的绝缘膜，在 绝缘膜的开口内设有n侧电极，使之与n侧半导体层导通。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：(日本)特开2014
‑
22608号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的技术问题
[0007]在上述发光元件中，期望改善发光分布。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个实施方式的发光元件具有：半导体层压体，其具有：具有 第一部分以及位于所述第一部分的内侧的第二部分且包括第一边、与所述第 一边连接的第二边、与所述第二边连接的第三边、以及与所述第一边和所述 第三边连接的第四边在内的俯视形状为四边形的第一导电型的第一半导体 层、在所述第二部分上设置的第二导电型的第二半导体层、在所述第一半导 体层与所述第二半导体层之间设置的活性层，并且所述第一部分在俯视下包 括：位于所述第二部分的外周的外周部、以及与所述第一边、所述第二边、 所述第三边及所述第四边的各边对置且从所述外周部向所述第二部分延伸的 多个延伸部；绝缘层，其覆盖所述半导体层压体，且具有分别位于所述多个 延伸部上的第一贯通孔、以及位于所述第二半导体层上的第二贯通孔；第一 电极，其经由所述绝缘层而设置在所述第二半导体层的上方，且通过多个所 述第一贯通孔与第一半导体层电连接；第二电极，其通过所述第二贯通孔与 所述第二半导体层电连接；第一外部连接部，其在位于所述第二半导体层上 的所述第一电极上设置，与所述第一电极电连接；第二外部连接部，其设置 在所述第二电极上，与所述第二电极电连接。在俯视下，所述第二半导体层 包括被与所述第一边正交且将所述第一边二等分的第一虚拟线、以及与所述 第二边正交且将所述第二边二等分的第二虚拟线划分的四个区域，四个所述 区域包括：配置有所述第一外部连接部的第一区域、在与所述第二边平行的 第一方向上与所述第一区域相邻的第二区域、在与所述第一边平行的第二方 向上与所述第一区域相邻的第三区域、以及在所述第二方向上与所述第二区 域相邻且配置有所述第二外部连接部的第四区域。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本专利技术的一个实施方式的发光元件，能够提供改善了发光分布的发 光元件。
附图说明
[0012]图1是表示本专利技术的一个实施方式的发光元件的俯视示意图。
[0013]图2A是图1的IIA
‑
IIA线的剖视示意图。
[0014]图2B是图1的IIB
‑
IIB线的剖视示意图。
[0015]图2C是表示本专利技术的一个实施方式的发光元件的俯视示意图。
[0016]图2D是放大了图2C的一部分的俯视示意图。
[0017]图3A是表示使用了本专利技术的一个实施方式的发光元件的发光装置的立 体示意图。
[0018]图3B是表示使用了本专利技术的一个实施方式的发光元件的发光装置的立 体示意图。
[0019]图4是图3B的IV
‑
IV线的剖视示意图。
[0020]图5A是表示使用了本专利技术的一个实施方式的发光元件的发光装置的立 体示意图。
[0021]图5B是表示使用了本专利技术的一个实施方式的发光元件的发光装置的立 体示意图。
[0022]图6是图5B的VI
‑
VI线的剖视示意图。
具体实施方式
[0023]下面，针对本专利技术的发光元件的实施方式进行说明。
[0024]需要说明的是，在如下的说明中参照的附图概括表示了本专利技术，所以各 部件的比例、间隔、位置关系等有所夸张，或者可能未图示部件的一部分。 另外，在俯视图、剖视图之间，各部件的比例、间隔也可能不一致。另外， 在如下的说明中，对于相同的名称及标记，原则上表示相同或同质的部件， 适当省略详细的说明。
[0025]在本说明书中，“上”、“下”等在为了说明而参照的附图中表示结构 主要部件间的相对位置，在未特别说明的情况下，并非旨在表示绝对的位置。
[0026]参照图1、图2A、图2B、以及图2C，针对发光元件10A的结构进行说 明。图1是用于说明发光元件10A的结构的详细情况的俯视示意图。图2A 所示的剖视图示意性地表示了图1所示的俯视图的IIA
‑
IIA线的剖面。图2B 所示的剖视图示意性地表示了图1所示的俯视图的IIB
‑
IIB线的剖面。图2C 是用于说明发光元件10A的结构的详细情况的俯视示意图。图2D是放大了 图2C的一部分的部分放大图。
[0027]参照图1、以及图2A～图2D，针对发光元件10A的各部的结构依次进 行说明。
[0028]发光元件10A具有：包括第一半导体层12n、第二半导体层12p、以及设 置在第一半导体层12n与第二半导体层之间的活性层12a的半导体层压体12； 绝缘层15；第一电极13；第二电极16；第一外部连接部17n；第二外部连接 部17p。半导体层压体12设置在基板11上。在第二半导体层12p上的一部分 设有光反射性电极14。在第一电极13上设有第一外部连接部17n。在第二电 极16上设有第二外部连接部17p。经由第一外部连接部17n及第二外部连接 部17p，向发光元件10A的第一电极13及第二电极16间供给电流。而且， 当向第一电极13及第二电极16间供给电流时，发光元件10A的活性层12a 发光。发光元件10A的活性层12a发出的光在半导体层压体12内传播，主要 从基板11的下表面或者侧面向外部取出。
[0029][基板11][0030]基板11只要是可以使半导体外延生长的基板材料即可。基板11例如使 用由蓝宝石、氮化镓等材料形成的基板。在本实施方式中，从提高发光元件 10A的光取出效率的角度出发，优选使用具有透光性的蓝宝石基板。基板11 的俯视形状例如为长方形等四边形状。在本实施方式中，基板11的俯视形状 为正方形状。基板11的一边的长度例如为100μm以上、1500μm以下，优选 为100μm以上、500μm以下。
[0031][半导体层压体12][0032]半导体层压体12为在基板11之上层压的层压体，从基板11侧依次具有 第一导电型的第一半导体层12n、活性层12a、以及第二导电型的第二半导体 层12p。在本实施方式中，第一导电型为n型，第二导电型为p型。第一半导 体层12n、活性层12a及第二半导体层12p适合使用In
X
Al
Y
Ga1‑
X
‑
Y
N(0≦X、 0≦Y、X+Y＜1)等半导体。另外，上述半导体层可以各自为单层结构，也 可以为成分及膜厚等不同的多层层压结构、超晶格结构等。特别是活性层12a 优选为层压有产生量子效应的薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，具有：半导体层压体，具有：第一导电型的第一半导体层，其具有第一部分以及位于所述第一部分的内侧的第二部分，且包括第一边、与所述第一边连接的第二边、与所述第二边连接的第三边以及与所述第一边和所述第三边连接的第四边在内的俯视形状为四边形；第二导电型的第二半导体层，其设置在所述第二部分上；活性层，其设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；所述第一部分在俯视下包括：位于所述第二部分的外周的外周部、以及与所述第一边、所述第二边、所述第三边及所述第四边的各边对置且从所述外周部向所述第二部分延伸的多个延伸部；绝缘层，其覆盖所述半导体层压体，具有分别位于所述多个延伸部上的第一贯通孔、以及位于所述第二半导体层上的第二贯通孔；第一电极，其经由所述绝缘层而设置在所述第二半导体层的上方，通过多个所述第一贯通孔与所述第一半导体层电连接；第二电极，其通过所述第二贯通孔与所述第二半导体层电连接；第一外部连接部，其在位于所述第二半导体层上的所述第一电极上设置，与所述第一电极电连接；第二外部连接部，其设置在所述第二电极上，与所述第二电极电连接；在俯视下，所述第二半导体层包括被与所述第一边正交且将所述第一边二等分的第一虚拟线、以及与所述第二边正交且将所述第二边二等分的第二虚拟线划分的四个区域，四个所述区域包括：配置有所述第一外部连接部的第一区域、在与所述第二边平行的第一方向上与所述第一区域相邻的第二区域、在与所述第一边平行的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：三崎贵生，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：