System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() SmFeN系稀土类磁体及其制造方法技术_技高网

SmFeN系稀土类磁体及其制造方法技术

技术编号:41326514 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-13 15:03
本发明专利技术提供磁特性优异的SmFeN系稀土类磁体及其制造方法。本发明专利技术涉及一种SmFeN系稀土类磁体的制造方法,该方法包括:磁性粉末的热处理工序,以80℃以上且低于150℃对在表面包覆有磷酸盐的SmFeN系各向异性磁性粉末进行热处理;混合工序,使用被树脂包覆的金属的介质或被树脂包覆的陶瓷的介质将进行了上述热处理后的SmFeN系各向异性磁性粉末和包含Zn的改性材料粉末分散,得到包含上述SmFeN系各向异性磁性粉末和上述改性材料粉末的混合粉末;压缩成形工序,将上述混合粉末在磁场中进行压缩成形而得到磁场成形体;以及烧结工序,将上述磁场成形体进行加压烧结而得到烧结体。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及smfen系稀土类磁体及其制造方法。


技术介绍

1、专利文献1中公开了在溶剂中使用陶瓷的介质将smfen系各向异性磁性粉末粉碎的制造方法。然而,可以认为,在使用硬的陶瓷的介质时,因碎屑而产生微小粒子,粉碎后得到的smfen系各向异性磁性粉末的氧含量增加,磁特性降低。

2、在专利文献2中,作为smfen系稀土类磁体的制造方法,公开了将smfen系各向异性磁性粉末在6koe以上的磁场中进行预压缩后,在600℃以下的温度、以1~5gpa的成形面压进行热压实成形。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2015-195326号公报

6、专利文献2:国际公开第2015/199096号


技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、本申请的目的在于提供磁特性优异的smfen系稀土类磁体及其制造方法。

3、解决问题的方法

4、本申请的一个实施方式的smfen系稀土类磁体的制造方法包括:磁性粉末的热处理工序,以80℃以上且低于150℃对在表面包覆有磷酸盐的smfen系各向异性磁性粉末进行热处理;混合工序,使用被树脂包覆的金属的介质或被树脂包覆的陶瓷的介质将进行了上述热处理后的smfen系各向异性磁性粉末和包含zn的改性材料粉末分散,得到包含上述smfen系各向异性磁性粉末和上述改性材料粉末的混合粉末;压缩成形工序,将上述混合粉末在磁场中进行压缩成形而得到磁场成形体;以及烧结工序,将上述磁场成形体进行加压烧结而得到烧结体。

5、本申请的一个实施方式的smfen系稀土类磁体包含:

6、smfen系各向异性磁性粉末、和

7、包覆上述smfen系各向异性磁性粉末的包覆部,

8、上述包覆部包含局部存在p的外周区域、和位于比上述外周区域更靠内侧且局部存在zn的内侧区域。

9、专利技术的效果

10、根据本申请,可以提供磁特性高的smfen系稀土类磁体及其制造方法。

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【技术保护点】

1.一种SmFeN系稀土类磁体的制造方法,该方法包括:

2.根据权利要求1所述的SmFeN系稀土类磁体的制造方法,该方法在所述磁性粉末的热处理工序之前进一步包括:

3.根据权利要求1或2所述的SmFeN系稀土类磁体的制造方法,其中,

4.根据权利要求1或2所述的SmFeN系稀土类磁体的制造方法,其中,

5.根据权利要求1或2所述的SmFeN系稀土类磁体的制造方法,其中,

6.根据权利要求1或2所述的SmFeN系稀土类磁体的制造方法,其中,

7.根据权利要求6所述的SmFeN系稀土类磁体的制造方法,该方法进一步包括:

8.根据权利要求1或2所述的SmFeN系稀土类磁体的制造方法,该方法进一步包括:

9.一种SmFeN系稀土类磁体,其包含:

【技术特征摘要】

1.一种smfen系稀土类磁体的制造方法,该方法包括:

2.根据权利要求1所述的smfen系稀土类磁体的制造方法,该方法在所述磁性粉末的热处理工序之前进一步包括:

3.根据权利要求1或2所述的smfen系稀土类磁体的制造方法,其中,

4.根据权利要求1或2所述的smfen系稀土类磁体的制造方法,其中,

5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:前原永犬塚智宪伊东正朗平冈基记
申请(专利权)人:日亚化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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