System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示装置制造方法及图纸_技高网

显示装置制造方法及图纸

技术编号:41326512 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-13 15:03
一种显示装置被公开,该显示装置包括:基板;扫描线,设置在基板上并且在第一方向上延伸;数据线,设置在基板上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸;第一晶体管,设置在基板上并且包括第一半导体层和与第一半导体层重叠的第一栅电极;第二晶体管,包括电连接到第一晶体管和数据线的第二半导体层以及与第二半导体层重叠并电连接到扫描线的第二栅电极;至少一个无机绝缘层,设置在基板上;以及辅助晶体管,设置在第二晶体管的对侧,而谷限定在至少一个无机绝缘层中、辅助晶体管与第二晶体管之间,其中辅助晶体管电连接到数据线和扫描线。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种显示装置


技术介绍

1、在包括发光二极管的显示装置中,薄膜晶体管被布置在显示区域中以控制发光二极管中的每个的亮度。薄膜晶体管通过使用数据信号、驱动电压和公共电压来控制发光二极管发射具有特定颜色的光。


技术实现思路

1、一个或多个实施例可以包括一种显示装置,在该显示装置中,即使在外部冲击的情况下,显示质量也可以被保持。

2、另外的方面将部分地在下面的描述中被阐述,并且将部分地从描述显而易见,或者可以通过本公开的所呈现的实施例的实践而习得。

3、一种显示装置的实施例包括:基板;扫描线,设置在基板上并且在第一方向上延伸;数据线,设置在基板上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸;第一晶体管,设置在基板上并且包括第一半导体层和与第一半导体层重叠的第一栅电极;第二晶体管,包括电连接到第一晶体管和数据线的第二半导体层以及与第二半导体层重叠并电连接到扫描线的第二栅电极;至少一个无机绝缘层,设置在基板上;以及辅助晶体管,设置在第二晶体管的对侧,而谷限定在至少一个无机绝缘层中、辅助晶体管与第二晶体管之间,其中辅助晶体管电连接到数据线和扫描线。

4、辅助晶体管包括辅助半导体层和辅助栅电极,该辅助半导体层设置在第二半导体层的对侧,而谷在第二半导体层与辅助半导体层之间,该辅助栅电极电连接到扫描线并且与辅助半导体层重叠。

5、显示装置可以进一步包括:第一连接线,被配置为将数据线和辅助半导体层彼此电连接,第一连接线与谷重叠;以及第二连接线,被配置为将辅助半导体层和第一半导体层彼此电连接,第二连接线与谷重叠。

6、第一连接线和第二连接线可以具有相同的材料。

7、第一连接线和第二连接线可以与扫描线具有相同的材料。

8、显示装置可以进一步包括:包括第二栅电极的第一辅助扫描线以及包括辅助栅电极的第二辅助扫描线,并且第一辅助扫描线和第二辅助扫描线中的每条可以电连接到扫描线。

9、第一辅助扫描线和第二辅助扫描线可以彼此间隔开,而谷在第一辅助扫描线和第二辅助扫描线之间。

10、辅助半导体层可以与第二半导体层包括相同的材料。

11、显示装置可以进一步包括至少部分地填充谷的有机绝缘材料。

12、显示装置的实施例包括:彼此邻近布置的第一子像素电路区域和第二子像素电路区域;扫描线,在第一方向上延伸并且穿过第一子像素电路区域和第二子像素电路区域;数据线,在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且穿过第一子像素电路区域;第一晶体管,包括设置在第一子像素电路区域中的第一半导体层和与第一半导体层重叠的第一栅电极;第二晶体管,包括电连接到第一晶体管和数据线并设置在第一子像素电路区域中的第二半导体层以及与第二半导体层重叠并电连接到扫描线的第二栅电极;谷,位于第一子像素电路区域和第二子像素电路区域之间,并且限定在至少一个无机绝缘层中;以及辅助晶体管,包括设置在第二子像素电路区域中的辅助半导体层以及与辅助半导体层重叠的辅助栅电极,其中辅助晶体管电连接到数据线和扫描线。

13、显示装置可以进一步包括:第一连接线,被配置为将数据线和辅助半导体层彼此电连接,第一连接线与谷重叠;以及第二连接线,被配置为将辅助半导体层和第一半导体层彼此电连接,第二连接线与谷重叠。

14、第一连接线和第二连接线可以具有相同的材料。

15、显示装置可以进一步包括:包括第二栅电极的第一辅助扫描线以及包括辅助栅电极的第二辅助扫描线,并且第一辅助扫描线和第二辅助扫描线中的每条可以电连接到扫描线。

16、第一辅助扫描线和第二辅助扫描线可以彼此间隔开,而谷在第一辅助扫描线和第二辅助扫描线之间。

17、显示装置可以进一步包括至少部分地填充谷的有机绝缘材料。

18、辅助半导体层可以与第二半导体层包括相同的材料。

19、显示装置可以进一步包括:第一连接线,设置在有机绝缘材料上,并且被配置为将数据线和辅助半导体层彼此电连接,第一连接线与谷重叠;以及第二连接线,设置在有机绝缘材料上,并且被配置为将辅助半导体层和第一半导体层彼此电连接,第二连接线与谷重叠。

20、显示装置可以进一步包括:设置在第一子像素电路区域中并且电连接到第一晶体管的第三晶体管。

21、第三晶体管可以包括第三半导体层和第三栅电极,第三半导体层与第一半导体层包括不同的材料,第三栅电极与第三半导体层重叠。

22、第一半导体层和第三半导体层可以被布置在不同的层上。

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【技术保护点】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述辅助晶体管包括辅助半导体层和辅助栅电极,所述辅助半导体层设置在所述第二半导体层的对侧,而所述谷在所述第二半导体层与所述辅助半导体层之间,所述辅助栅电极电连接到所述扫描线并且与所述辅助半导体层重叠。

3.根据权利要求2所述的显示装置,进一步包括:

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第一连接线和所述第二连接线包括相同的材料。

5.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第一连接线和所述第二连接线与所述扫描线包括相同的材料。

6.根据权利要求2所述的显示装置,进一步包括:

7.根据权利要求6所述的显示装置,其中所述第一辅助扫描线和所述第二辅助扫描线彼此间隔开,而所述谷在所述第一辅助扫描线和所述第二辅助扫描线之间。

8.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述辅助半导体层与所述第二半导体层包括相同的材料。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置,进一步包括:

10.一种显示装置,包括:

11.根据权利要求10所述的显示装置,进一步包括:

12.根据权利要求11所述的显示装置,其中所述第一连接线和所述第二连接线包括相同的材料。

13.根据权利要求10所述的显示装置,进一步包括:

14.根据权利要求13所述的显示装置,其中所述第一辅助扫描线和所述第二辅助扫描线彼此间隔开,而所述谷在所述第一辅助扫描线和所述第二辅助扫描线之间。

15.根据权利要求10至14中任一项所述的显示装置,进一步包括:

16.根据权利要求10所述的显示装置,其中所述辅助半导体层与所述第二半导体层包括相同的材料。

17.根据权利要求15所述的显示装置,进一步包括:

18.根据权利要求10所述的显示装置,进一步包括:

19.根据权利要求18所述的显示装置,其中所述第三晶体管包括第三半导体层和第三栅电极,所述第三半导体层与所述第一半导体层包括不同的材料,所述第三栅电极与所述第三半导体层重叠。

20.根据权利要求19所述的显示装置,其中所述第一半导体层和所述第三半导体层被布置在不同的层上。

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【技术特征摘要】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述辅助晶体管包括辅助半导体层和辅助栅电极,所述辅助半导体层设置在所述第二半导体层的对侧,而所述谷在所述第二半导体层与所述辅助半导体层之间,所述辅助栅电极电连接到所述扫描线并且与所述辅助半导体层重叠。

3.根据权利要求2所述的显示装置,进一步包括:

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第一连接线和所述第二连接线包括相同的材料。

5.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第一连接线和所述第二连接线与所述扫描线包括相同的材料。

6.根据权利要求2所述的显示装置,进一步包括:

7.根据权利要求6所述的显示装置,其中所述第一辅助扫描线和所述第二辅助扫描线彼此间隔开,而所述谷在所述第一辅助扫描线和所述第二辅助扫描线之间。

8.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述辅助半导体层与所述第二半导体层包括相同的材料。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置,进一步包括:

10.一种显示装置,包括:

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【专利技术属性】
技术研发人员:朴光雨沈栋焕李彦周李震龙张哲赵镛善
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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