一种LED器件及打线方法技术

本发明专利技术提供了一种LED器件及打线方法，包括基板、LED芯片、键合线和封装胶体，基板具有焊盘，LED芯片固定在基板上并位于焊盘的一侧，LED芯片具有顶面电极，顶面电极基于键合线与焊盘电性连接，LED芯片和键合线基于封装胶体封装；键合线包括依次连接的第一段、第二段和第三段；第一段的首端键合在焊盘上；第一段和第二段之间基于圆角进行过渡；第二段和第三段的连接位置位于LED芯片的顶面边缘的正上方；第三段的末端键合在顶面电极上。通过将BSOB打线工艺的起点调整为基板的焊盘上，可在保证键合线与金球之间的内应力不会过大的前提条件下对键合线弧高进行降低，以满足实际使用需求。求。求。

【技术实现步骤摘要】
一种LED器件及打线方法


[0001]本专利技术涉及到LED
，具体涉及一种LED器件及打线方法。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，应用在穿戴领域的感测器件日渐趋于小型化，即对基板、封装胶层、芯片等部件都需要小型化，同时对感测器件的准确度有更高要求，即LED芯片的亮度需要更高，但受限于现有LED芯片工艺的制备，现有高亮芯片具有大尺寸的特征，因此在采用常规的BSOB打线方式，容易在封胶过程出现金线弧度变形的问题，同时在焊线过程中，由于芯片尺寸较大，容易出现芯片边缘碰到金线的问题。

技术实现思路

[0003]为了解决现有BSOB打线方式所导致的金线弧高较高的问题，本专利技术提供了一种LED器件及打线方式，将BSOB打线工艺的起点调整为基板的焊盘上，可在保证键合线与金球之间的内应力不会过大的前提条件下对键合线弧高进行降低，以满足实际使用需求。
[0004]相应的，本专利技术提供了一种LED器件，包括基板、LED芯片、键合线和封装胶体，所述基板具有焊盘，所述LED芯片固定在所述基板上并位于所述焊盘的一侧，所述LED芯片具有顶面电极，所述顶面电极基于键合线与所述焊盘电性连接，所述LED芯片和键合线基于所述封装胶体封装；
[0005]其特征在于，所述键合线包括依次连接的第一段、第二段和第三段；
[0006]所述第一段的首端键合在所述焊盘上，所述第一段与所述焊盘的顶面之间远离所述LED芯片的夹角为a；
[0007]所述第一段和第二段之间基于圆角进行过渡，且所述第一段和第二段之间朝向所述LED芯片的夹角为b；
[0008]所述第二段和第三段的连接位置位于所述LED芯片的顶面边缘的正上方；
[0009]所述第三段的末端键合在所述顶面电极上，且所述第三段与顶面电极的顶面之间朝向所述LED芯片的夹角为c。
[0010]可选的实施方式，所述第一段的中部具有远离所述LED芯片方向的第一弯拱。
[0011]可选的实施方式，所述第二段的中部具有朝向下方的第二弯拱。
[0012]可选的实施方式，所述LED芯片的高度为h，所述键合线的最高点的高度小于或等于1.5h，且所述键合线的最高点的高度大于h。
[0013]可选的实施方式，所述第二段和所述第三段的连接位置与所述芯片的顶面之间的距离大于所述键合线的线径。
[0014]可选的实施方式，所述LED芯片的高度为h，所述第二段和所述第三段的连接位置距离所述芯片的顶面的高度小于或等于h/2，且所述第二段和所述第三段的连接位置距离所述芯片的顶面的高度大于或等于h/6。
[0015]可选的实施方式，所述第一段和第二段连接位置的圆角角度取值范围为[80
°
，
100
°
]。
[0016]可选的实施方式，所述芯片与所述焊盘之间的距离为90微米至1050微米。
[0017]可选的实施方式，夹角a的取值范围为80
°
<a<110
°
。
[0018]可选的实施方式，夹角c的取值范围为8
°
<c<25
°
。
[0019]可选的实施方式，所述LED芯片的宽度为所述芯片电极至所述芯片边缘的距离2至2.5倍。
[0020]可选的实施方式，第二段与水平面之间的夹角d的取值范围为8
°
＜d＜ 25
°
。
[0021]相应的，本专利技术还提供了一种打线方法，用于所述的LED器件中的顶面电极与对应的焊盘之间的键合线的打线，包括：
[0022]于所述顶面电极的顶面上植焊球；
[0023]通过线咀将键合线的首端熔成金球并键合在所述焊盘上；
[0024]通过放线并基于线咀带动键合线按照预设轨迹移动，分别形成所述第一段、所述第二段和所述第三段；
[0025]基于线咀将键合线的末端键合在所述焊球上后切断。
[0026]综上，本专利技术提供了一种LED器件及打线方法，在加工的时候，由于焊盘与顶面电极的高度落差关系，将BSOB焊线工艺的起始点设置在焊盘处，可使键合线接近于垂直的前段能够保持一定的长度余量，避免键合线与焊盘之间的键合内应力过大；相应的，键合线的弧高的降低不会对键合线与焊盘之间的键合内应力产生较大影响，保证了键合线结构的稳定性；将BSOB 焊线工艺的结束点设置在顶面电极上，可利用顶面电极上的焊球对键合线位于LED芯片轮廓包围区域内的末段进行很好的固定，防止第二段和第三段的连接位置与LED芯片产生碰触；当基板受热变形时，由于第一弯拱、圆角和第二弯拱的存在，基板变形时，圆角绕朝远离圆心的位置进行摆动，第二弯拱受到向上的应力作用，第二弯拱的凹陷缓冲应力作用，凹陷逐渐趋于平缓，适应基板形变过程，键合线的总体高度不会产生较大的变化，从而保证了键合线不会与封装模具发生触碰，保证了封装胶体的顺利成型和LED器件的顺利加工。
附图说明
[0027]图1为本专利技术实施例的LED器件的剖面结构示意图。
[0028]图2为本专利技术实施例的打线方法的流程图。
具体实施方式
[0029]图1出了本专利技术实施例的LED器件的剖面结构示意图。
[0030]本专利技术提供了一种LED器件，包括基板1、LED芯片3、键合线4和封装胶体，所述基板具有焊盘5，所述LED芯片3固定在所述基板1上并位于所述焊盘5的一侧，所述LED芯片3具有顶面电极，所述顶面电极基于键合线4与所述焊盘5电性连接，所述LED芯片3和键合线4基于所述封装胶体封装。
[0031]具体的，封装胶体用于封装所述LED芯片及连接线，所述感测器件上的芯片高度为h，所述封装层6的高度为H，所述H和h之间的约束关系为： 1.5h<H<4h，所述H的取值范围为：200μm<H<600μm，为了避免影响视图示意，在附图图1中未示出。
[0032]所述键合线包括依次连接的第一段AB3、第二段B3C和第三段CD；
[0033]具体的，所述第一段AB3的首端键合在所述焊盘5上，所述第一段AB3与所述焊盘5的顶面之间远离所述LED芯片一侧的夹角为a；所述第一段AB3的中部具有远离所述LED芯片3方向的第一弯拱6；由于线咀始终是保持朝向下方的，因此，线咀将键合线4的首端熔成金球后，从金球中带出的键合线4 的方向是接近于垂直于焊盘5的顶面的；在本专利技术实施例中，根据线咀的带动形成所需的键合线4轨迹，根据本专利技术实施例的设计，于第一段AB3中会形成第一弯拱6结构，第一弯拱6朝远离所述LED芯片3的方向凹陷，具体的，第一弯拱6的成型机理和作用效果在后续结合键合线4的整体结构进行说明。
[0034]具体的，所述第一段AB3和第二段B3C之间基于圆角B1
‑
B3进行过渡，且所述第一段AB3和第二段B3C之间朝向所述LED芯片的夹角为b；具体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED器件，包括基板、LED芯片、键合线和封装胶体，所述基板具有焊盘，所述LED芯片固定在所述基板上并位于所述焊盘的一侧，所述LED芯片具有顶面电极，所述顶面电极基于键合线与所述焊盘电性连接，所述LED芯片和键合线基于所述封装胶体封装；其特征在于，所述键合线包括依次连接的第一段、第二段和第三段；所述第一段的首端键合在所述焊盘上，所述第一段与所述焊盘的顶面之间远离所述LED芯片的夹角为a；所述第一段和第二段之间基于圆角进行过渡，且所述第一段和第二段之间朝向所述LED芯片的夹角为b；所述第二段和第三段的连接位置位于所述LED芯片的顶面边缘的正上方；所述第三段的末端键合在所述顶面电极上，且所述第三段与顶面电极的顶面之间朝向所述LED芯片的夹角为c。2.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述第一段的中部具有远离所述LED芯片方向的第一弯拱。3.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述第二段的中部具有朝向下方的第二弯拱。4.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述LED芯片的高度为h，所述键合线的最高点的高度小于或等于1.5h，且所述键合线的最高点的高度大于h。5.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述第二段和所述第三段的连接位置与所述芯片的顶面之间的距离大于所述键合线的线径。6.如权利要求5所述的LED器件，其特征在于，所述LED芯片的高度为h，所述第二段和所述第三段的连接位置距离所述芯片的顶面的高度小于或等于h/2，且所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李军政，朱明军，雷美琴，邱俊东，王高辉，颜栋甫，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：