【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led，特别是涉及一种led器件的制备方法及led器件。
技术介绍
1、led(light emitting diode，发光二极管)是一种半导体器件，能将电能转化为光能的固态发光装置，具有体积小、功耗低、寿命长等优点，在照明、显示和通信等领域得到广泛应用。
2、请参阅图1，现有led器件包括基板1、led芯片2、膜片3和白墙胶4，所述led芯片2放置在基板1的正面，所述膜片3通过粘合剂粘接在led芯片2的发光区，所述白墙胶4包裹所述led芯片2并与所述基板1的正面贴合，白墙胶4的表面与膜片3的表面平齐。
3、现有技术中，白墙胶4一般通过模压的方式覆盖在基板1、led芯片2和膜片3上，然后通过研磨、抛光工艺将膜片3上方覆盖的白墙胶4去除。但是，这种方法制成的led器件，白墙胶4与膜片3结合的四周会出现一定比例的分离，并且冷热冲击试验后，白墙胶4与膜片3的分离会加剧。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的在于，提供一种led器件的制备方法及led器件。
2、一方面，本专利技术提供一种led器件的制备方法，包括以下步骤：
3、s1、将led芯片放置在基板正面的芯片区，所述芯片区为至少一个；
4、s2、将膜片放置在所述led芯片的发光区；
5、s3、在每个所述芯片区的膜片表面贴一张薄膜；
6、s4、模压白墙胶，使得所述白墙胶包裹所述led芯片并与所述基板的正面贴合；
7、s
8、与现有技术相比，本专利技术先在膜片表面贴薄膜，然后模压白墙胶，最后将薄膜去除，从而无需对膜片进行研磨、抛光，避免了研磨、抛光对膜片的损伤，不会出现白墙胶与膜片结合处的分离现象。
9、在其中一个实施例中，所述芯片区为多个，多个所述芯片区之间为空白区。
10、在其中一个实施例中，所述芯片区为4个，所述空白区为十字形。
11、在其中一个实施例中，步骤s4包括：
12、将所述基板吸附在模压设备的上模芯，所述基板的反面与所述上模芯接触；
13、将白墙胶挤入下模芯的模腔中；
14、合模，所述白墙胶通过所述空白区进入所述薄膜下的基板上。
15、在其中一个实施例中，所述芯片区为一个，所述芯片区覆盖所述基板的正面。
16、在其中一个实施例中，所述led器件的制备方法还包括，在所述薄膜的中间区域开孔，步骤s4包括：
17、将所述基板吸附在模压设备的上模芯，所述基板的反面与所述上模芯接触；
18、将白墙胶挤入下模芯的模腔中；
19、合模，所述白墙胶通过所述薄膜的开孔进入所述基板上。
20、在其中一个实施例中，所述芯片区位于所述基板的中间，所述芯片区的四周为空白区。
21、在其中一个实施例中，步骤s4包括：
22、将所述基板吸附在模压设备的上模芯，所述基板的反面与所述上模芯接触；
23、将白墙胶挤入下模芯的模腔中；
24、合模，所述白墙胶通过所述空白区进入所述基板上。
25、在其中一个实施例中，所述将白墙胶挤入下模芯的模腔中包括：将白墙胶挤在下模芯的模腔四周。
26、在其中一个实施例中，所述薄膜为pet/pi膜。
27、在其中一个实施例中，所述白墙胶为流动性强的液态胶。
28、在其中一个实施例中，不同所述膜片的表面与所述基板正面之间的距离差小于10μm。
29、另一方面，本专利技术提供一种led器件，包括基板、led芯片、膜片和白墙胶，所述led芯片放置在所述基板的正面，所述膜片放置在所述led芯片的发光区，所述白墙胶包裹所述led芯片并与所述基板的正面贴合，所述白墙胶的表面与所述膜片的表面平齐，所述led器件由前述的led器件的制备方法制得。
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1.一种LED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法，其特征在于，所述芯片区为多个，多个所述芯片区之间为空白区。
3.根据权利要求2所述的LED器件的制备方法，其特征在于，所述芯片区为4个，所述空白区为十字形。
4.根据权利要求3所述的LED器件的制备方法，其特征在于，步骤S4包括：
5.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法，其特征在于，所述芯片区为一个，所述芯片区覆盖所述基板的正面。
6.根据权利要求5所述的LED器件的制备方法，其特征在于，所述LED器件的制备方法还包括，在所述薄膜的中间区域开孔，步骤S4包括：
7.根据权利要求5所述的LED器件的制备方法，其特征在于，所述芯片区位于所述基板的中间，所述芯片区的四周为空白区。
8.根据权利要求7所述的LED器件的制备方法，其特征在于，步骤S4包括：
9.根据权利要求8所述的LED器件的制备方法，其特征在于，所述将白墙胶挤入下模芯的模腔中包括：将白墙胶挤在下模芯的模腔四周。
...【技术特征摘要】
1.一种led器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的led器件的制备方法，其特征在于，所述芯片区为多个，多个所述芯片区之间为空白区。
3.根据权利要求2所述的led器件的制备方法，其特征在于，所述芯片区为4个，所述空白区为十字形。
4.根据权利要求3所述的led器件的制备方法，其特征在于，步骤s4包括：
5.根据权利要求1所述的led器件的制备方法，其特征在于，所述芯片区为一个，所述芯片区覆盖所述基板的正面。
6.根据权利要求5所述的led器件的制备方法，其特征在于，所述led器件的制备方法还包括，在所述薄膜的中间区域开孔，步骤s4包括：
7.根据权利要求5所述的led器件的制备方法，其特征在于，所述芯片区位于所述基板的中间，所述芯片区的四周为空白区。
8.根据权利要求7所述的led器件的制备方法，其特征在于，步...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱明军，陈燕，李玉容，钟伟锋，张智机，郭豪杰，郑银玲，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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