System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种转接板结构、制造方法和芯片技术_技高网

一种转接板结构、制造方法和芯片技术

技术编号:41403432 阅读:7 留言:0更新日期:2024-05-20 19:29
本发明专利技术提供一种转接板结构、制造方法和芯片,该转接板结构包括:第一转接板,第一转接板包括:基板、导电层和重布线层,基板上开设有至少一个凹槽;每个凹槽的底壁设有开沿基板的厚度方向贯穿的多个通孔;导电层填充于通孔的内部,导电层的一侧表面与通孔的开口齐平;重布线层包括设置于凹槽内部的第一重布线层,第一重布线层与导电层电连接,第一重布线层的远离导电层的一侧表面与凹槽的开口齐平。本发明专利技术中至少部分重布线层设置在基板上的凹槽内,通过将重布线层嵌入基板内,避免基板与重布线层之间出现分层,避免重布线层卷曲和脱落,增加重布线层和基板的粘合力和结合力,还能够实现对重布线层的多面包裹,增强转接板整体性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及芯片,尤其涉及一种转接板结构、制造方法和芯片


技术介绍

1、3d封装技术中的转接板(interposer),也被称为插入层或中间层,是一种新型的电子基板,能够实现顶部管芯级的细间距i/o与底部封装级较大尺寸大间距i/o之间的互连。

2、转接板上设置了许多的通孔,通孔穿过衬底延伸互连,实现垂直集成的同时缩短了互连长度,重布线层(re distribution layer,rdl)主要为2d平面上的芯片电气延伸与互连提供媒介,目前,常规工艺中将rdl层形成在转接板基板的表面,然而这样的转接板结构中rdl与基板的结合力不足,并且rdl受到的包裹较少,受到的保护程度也较低。

3、目前,由于玻璃材料的介电性能优良,热膨胀系数与硅接近,以玻璃替代硅材料的玻璃通孔(through glass via,tgv)技术也被认为是下一代三维集成的关键技术。因此,当转接板的基板为玻璃材料时,由于玻璃表面比其他材料更加平滑,导致玻璃表面与常用金属(如cu)的黏附性较差,所以rdl与基板的结合力不足的问题会更加突出,尤其是细线宽如10um line时,只有极少部分的rdl接触到基板,高频细线宽信号丢失高,并且很容易导致玻璃基板与rdl之间出现分层现象,导致rdl层卷曲,甚至脱落等现象。


技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种转接板结构,以解决现有的重布线层与基板结合力不足的问题。

2、为了解决上述技术问题,本专利技术是这样实现的:

3、第一方面,本专利技术实施例提供了一种转接板结构,包括第一转接板,所述第一转接板包括:

4、基板,所述基板上开设有至少一个凹槽;每个所述凹槽的底壁设有开沿所述基板的厚度方向贯穿的多个通孔;

5、导电层,填充于所述通孔的内部;所述导电层的一侧表面与所述通孔的开口齐平;

6、重布线层,包括设置于所述凹槽内部的第一重布线层,所述第一重布线层与所述导电层电连接,所述第一重布线层的远离所述导电层的一侧表面与所述凹槽的开口齐平。

7、可选的,所述凹槽的竖截面呈倒t型,所述凹槽包括上下设置的第一部分和第二部分,所述第二部分位于所述第一部分和所述通孔之间,所述第二部分的宽度大于所述第一部分和所述通孔的宽度。

8、可选的,所述凹槽的竖截面呈倒梯形,所述凹槽的开口的宽度大于所述凹槽的底壁的宽度。

9、可选的,所述重布线层还包括第二重布线层;

10、设置在所述基板靠近所述第一重布线层一端的表面,与所述第一重布线层电连接。

11、可选的,所述凹槽的横截面为弯折结构,所述凹槽包括多个相连的分段,至少两个相邻的所述分段之间的夹角小于180度。

12、可选的,所述转接板结构中包括多个第一转接板,所述多个第一转接板沿所述基板的厚度方向依次层叠设置。

13、第二方面,本专利技术实施例提供了一种转接板结构的制造方法,包括:

14、提供基板;

15、在所述基板上形成凹槽;

16、在所述凹槽的底壁形成沿所述基板的厚度方向贯穿的通孔;

17、在所述通孔内形成导电层,以及在所述凹槽内部形成第一重布线层,所述第一重布线层与所述导电层电连接;所述导电层的一侧表面与所述通孔的开口齐平;所述第一重布线层的远离所述导电层的一侧表面与所述凹槽的开口齐平。

18、可选的,还包括:

19、在所述基板靠近所述第一重布线层一端的表面形成第二重布线层。

20、可选的,所述在所述通孔内形成导电层,以及在所述凹槽内部形成第一重布线层包括:

21、在所述通孔和凹槽表面沉积种子层;

22、对沉积种子层后的通孔和凹槽进行化镀;

23、对化镀后的通孔和凹槽进行平坦化处理形成所述导电层和所述第一重布线层。

24、第三方面,本专利技术实施例提供了一种芯片,包括如第一方面所述的转接板结构。

25、本专利技术实施例提供的转接板结构包括第一转接板,第一转接板包括:基板、导电层和重布线层,基板上开设有至少一个凹槽;每个凹槽的底壁设有开沿基板的厚度方向贯穿的多个通孔;导电层填充于通孔的内部,导电层的一侧表面与通孔的开口齐平;重布线层包括设置于凹槽内部的第一重布线层,第一重布线层与导电层电连接,第一重布线层的远离导电层的一侧表面与凹槽的开口齐平。本专利技术中至少部分重布线层设置基板上的凹槽内,通过将重布线层嵌入基板内,避免基板与重布线层之间出现分层,避免重布线层卷曲和脱落,通过内嵌的结构增加重布线层和基板的粘合力和结合力,并且,还能够实现对重布线层的多面包裹,增强转接板整体性能。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种转接板结构,其特征在于,包括第一转接板,所述第一转接板包括:

2.根据权利要求1所述的转接板结构,其特征在于,所述凹槽的竖截面呈倒T型,所述凹槽包括上下设置的第一部分和第二部分,所述第二部分位于所述第一部分和所述通孔之间,所述第二部分的宽度大于所述第一部分和所述通孔的宽度。

3.根据权利要求1所述的转接板结构,其特征在于,所述凹槽的竖截面呈倒梯形,所述凹槽的开口的宽度大于所述凹槽的底壁的宽度。

4.根据权利要求1或2或3所述的转接板结构,其特征在于,所述重布线层还包括第二重布线层;

5.根据权利要求1或2所述的转接板结构,其特征在于,所述凹槽的横截面为弯折结构,所述凹槽包括多个相连的分段,至少两个相邻的所述分段之间的夹角小于180度。

6.根据权利要求1或2或3所述的转接板结构,其特征在于,所述转接板结构中包括多个第一转接板,所述多个第一转接板沿所述基板的厚度方向依次层叠设置。

7.一种转接板结构的制造方法,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,还包括:

>9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述通孔内形成导电层,以及在所述凹槽内部形成第一重布线层包括:

10.一种芯片,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的转接板结构。

...

【技术特征摘要】

1.一种转接板结构,其特征在于,包括第一转接板,所述第一转接板包括:

2.根据权利要求1所述的转接板结构,其特征在于,所述凹槽的竖截面呈倒t型,所述凹槽包括上下设置的第一部分和第二部分,所述第二部分位于所述第一部分和所述通孔之间,所述第二部分的宽度大于所述第一部分和所述通孔的宽度。

3.根据权利要求1所述的转接板结构,其特征在于,所述凹槽的竖截面呈倒梯形,所述凹槽的开口的宽度大于所述凹槽的底壁的宽度。

4.根据权利要求1或2或3所述的转接板结构,其特征在于,所述重布线层还包括第二重布线层;

5.根据权利要求1或2所述的转接板结构,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:穆俊宏黄文杰方立志
申请(专利权)人:成都奕成集成电路有限公司
类型:发明
国别省市:

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