【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片封装，具体而言，涉及一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构。
技术介绍
1、芯片又被称为微电路、微芯片和集成电路等，它其实是半导体电子元件产品的统称。芯片的分类有很多，按照不同的处理信号可分为模拟芯片和数字芯片两种。为了对芯片进行保护，需要将芯片进行封装，芯片封装后形成芯片封装结构。
2、然而，通过相关技术中的方法制作的芯片封装结构的质量不够高。
技术实现思路
1、为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构。
2、本申请提供一种芯片封装结构的制作方法，所述方法包括：
3、提供一基板；
4、在所述基板上贴合芯片组件，所述芯片组件包括至少一个芯片，所述芯片包括引脚；
5、在所述基板的一侧形成覆盖所述芯片组件的塑封层；
6、在所述塑封层远离所述基板的一侧形成种子层；
7、在所述种子层远离所述基板的一侧形成图案化光刻胶；
8、在所述种子层远离所述基板的一侧形成重布线层，并去除所述图案化光刻胶，所述重布线层包括重布线单元，所述重布线单元与所述芯片的引脚电连接；
9、在所述重布线层远离所述基板的一侧形成覆盖所述重布线单元的光刻胶保护层；所述光刻胶保护层包括光刻胶单元，所述光刻胶单元覆盖所述重布线单元；
10、去除未被所述光刻胶单元覆盖的种子层，并去除所述光刻胶单元。
11、在一种可能的实施方式中
12、在所述重布线层远离所述基板的一侧和所述种子层远离所述基板的一侧形成覆盖所述重布线单元的光刻胶保护层；
13、去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元。
14、在一种可能的实施方式中，所述去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元的步骤，包括：
15、基于掩膜版，通过曝光、显影去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元。
16、在一种可能的实施方式中，所述去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元的步骤，包括：
17、基于光刻设备，去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元。
18、在一种可能的实施方式中，所述去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元的步骤，包括：
19、基于等离子处理仪，去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元。
20、在一种可能的实施方式中，所述芯片还包括位于所述引脚一侧的第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的铜柱，所述铜柱沿远离所述基板的一侧延伸，所述铜柱与所述引脚电连接；
21、所述在所述基板的一侧形成覆盖所述芯片组件的塑封层的步骤，包括：
22、在所述基板的一侧形成覆盖所述芯片组件的塑封层；
23、对所述塑封层远离所述基板的一侧进行研磨，以暴露出至少部分所述铜柱。
24、在一种可能的实施方式中，所述在所述塑封层远离所述基板的一侧形成种子层的步骤，包括：
25、在所述绝缘层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层；
26、沿垂直于所述基板的方向，在所述第二绝缘层上开设暴露至少部分所述铜柱的过孔；
27、在所述塑封层远离所述基板的一侧形成种子层，所述种子层通过所述过孔与所述铜柱电连接。
28、在一种可能的实施方式中，所述在所述基板上贴合芯片组件的步骤，包括：
29、在所述基板的一侧设置粘接层；
30、在所述粘接层远离所述基板的一侧贴合芯片组件。
31、在一种可能的实施方式中，所述去除未被所述光刻胶单元覆盖的种子层，并去除所述光刻胶单元步骤之后，还包括：
32、沿垂直于所述基板的方向，对已封装的所述芯片之间的所述塑封层进行切割，使各已封装的所述芯片相互分离。
33、在一种可能的实施方式中，本申请还提供了一种芯片封装结构，所述芯片封装结构由本申请中所述的芯片封装结构的制作方法制作得到。
34、相对于现有技术，本申请至少具有如下有益效果：
35、本申请实施例提供的一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构，通过设置覆盖重布线单元的光刻胶单元，可以对重布线单元进行保护，在刻蚀未被光刻胶单元覆盖的种子层时，不容易将重布线单元一起刻蚀，从而可以使重布线单元的侧壁更直、更平整，进而可以提高通过该方法制作的芯片封装结构的质量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述重布线层远离所述基板的一侧形成覆盖所述重布线单元的光刻胶保护层的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元的步骤，包括：
4.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元的步骤，包括：
5.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元的步骤，包括：
6.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述芯片还包括位于所述引脚一侧的第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层上的铜柱，所述铜柱沿远离所述基板的一侧延伸，所述铜柱与所述引脚电连接；
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述重布线层远离所述基板的一侧形成覆盖所述重布线单元的光刻胶保护层的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元的步骤，包括：
4.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述光刻胶单元的步骤，包括：
5.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述去除所述种子层远离所述基板一侧的至少部分所述光刻胶保护层，以形成覆盖所述重布线单元的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆俊宏，
申请(专利权)人：成都奕成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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