【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷封装，尤其涉及一种深紫外led封装用陶瓷外壳及其制备方法。
技术介绍
1、深紫外led广泛应用于军事通讯、紫外干扰等军事装备控制系统，同时也广泛应用于公共场所、交通工具和个人防护等深紫外led消毒
深紫外led的主要技术指标是出光效率，即深紫外led出射光强与实际产生光强之比。将陶瓷封装外壳腔体内壁设置为倾斜状，可通过内壁的漫反射增加出射光强，进而提升出光效率。
2、现有陶瓷封装外壳制备方法中，为便于多层陶瓷加工，一般通过垂直冲孔加工多层陶瓷，每层的冲孔内径依次增大，层叠后，各层的冲孔构成多阶梯斜面腔。进一步的，通过增加层数、减小每层的厚度，可减小每个阶梯的高度，增加斜面腔内壁的平整度，而不断增加层数、增加了工艺复杂度。受限于加工方式，现有多阶梯斜面腔内壁的平整度较差，导致封装后的深紫外led出光效率较低。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种深紫外led封装用陶瓷外壳及其制备方法，以解决现有多阶梯斜面腔结构陶瓷封装外壳的深紫外led出光效率低的问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种深紫外led封装用陶瓷外壳的制备方法，包括：采用激光倾斜于生瓷片表面、贯穿所述生瓷片进行切割，制备得到带异形腔的第一生瓷层，其中，所述异形腔的纵截面形状为等腰梯形。所述等腰梯形的高大于所述深紫外led的厚度。制备得到内部多层布线的第二生瓷层。将所述第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结，制备得到所述陶瓷外壳，其中，所述等腰梯形较短的一条底边朝向第
3、在一种可能的实现方式中，在将所述第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结之前，还包括：在所述第一生瓷层的异形腔的侧壁上涂覆金属钨浆料。相应的，在将所述第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结之后，制备得到带金属反射镜的所述陶瓷外壳。
4、在一种可能的实现方式中，在将所述第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结之后，还包括：在所述异形腔的侧壁上进行电镀金属，制备得到带电镀加厚金属反射镜的所述陶瓷外壳。
5、在一种可能的实现方式中，所述异形腔的横截面形状为圆形或者正多边形。
6、在一种可能的实现方式中，所述等腰梯形较短的一条底边与腰的夹角大于90°且小于180°。
7、在一种可能的实现方式中，所述陶瓷外壳还包括密封盖板。所述密封盖板用于在封装所述深紫外led之后，通过激光缝焊密封所述异形腔的开口。所述方法还包括：制备金属盖板，其中，所述金属盖板的中心设有通孔。所述通孔的直径不小于所述等腰梯形较短的一条底边。制备玻璃板，其中，所述玻璃板的内接圆直径不小于所述通孔的直径。将所述玻璃板盖住所述金属盖板的通孔，并进行烧结，制备得到所述密封盖板。
8、在一种可能的实现方式中，所述第一生瓷层中异形腔的数量为两个，其中，一个异形腔用于封装深紫外led，另一个异形腔用于封装深紫外光电探测器。
9、在一种可能的实现方式中，在所述通过激光缝焊密封所述异形腔的开口后，两所述异形腔之间互不连通。
10、在一种可能的实现方式中，所述第二生瓷层的下表面还设有引线。所述引线电连接所述内部多层布线。
11、第二方面，本专利技术提供了一种深紫外led封装用陶瓷外壳，基于如上任一种所述的深紫外led封装用陶瓷外壳的制备方法制备得到。
12、本专利技术提供一种深紫外led封装用陶瓷外壳及其制备方法，该方法包括：采用激光倾斜于生瓷片表面、贯穿生瓷片进行切割，制备得到带异形腔的第一生瓷层，其中，异形腔的纵截面形状为等腰梯形。等腰梯形的高大于深紫外led的厚度。制备得到内部多层布线的第二生瓷层。将第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结，制备得到陶瓷外壳，其中，等腰梯形较短的一条底边朝向第二生瓷层。本专利技术通过激光倾斜切割得到异形腔结构的第一生瓷层。制备得到内部布线的第二生瓷层。再将第一生瓷层与第二生瓷层层叠后烧结得到陶瓷外壳。陶瓷外壳的腔体侧壁无台阶结构、表面更加平整，提升了对深紫外led侧向光的反射性能，提升了封装后深紫外led的出光效率。
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1.一种深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，在将所述第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结之前，还包括：
3.如权利要求2所述的深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，在将所述第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结之后，还包括：
4.如权利要求1所述的深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，所述异形腔的横截面形状为圆形或者正多边形。
5.如权利要求1所述的深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，所述等腰梯形较短的一条底边与腰的夹角大于90°且小于180°。
6.如权利要求1所述的深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，所述陶瓷外壳还包括密封盖板；所述密封盖板用于在封装所述深紫外LED之后，通过激光缝焊密封所述异形腔的开口；所述方法还包括：
7.如权利要求6所述的深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，所述第一生瓷层中异形腔的数量为两个，其中，一个异形腔用于封装深紫
8.如权利要求7所述的深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，在所述通过激光缝焊密封所述异形腔的开口后，两所述异形腔之间互不连通。
9.如权利要求1所述的深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，所述第二生瓷层的下表面还设有引线；所述引线电连接所述内部多层布线。
10.一种深紫外LED封装用陶瓷外壳，其特征在于，基于如权利要求1至9中任一种所述的深紫外LED封装用陶瓷外壳的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种深紫外led封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的深紫外led封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，在将所述第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结之前，还包括：
3.如权利要求2所述的深紫外led封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，在将所述第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结之后，还包括：
4.如权利要求1所述的深紫外led封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，所述异形腔的横截面形状为圆形或者正多边形。
5.如权利要求1所述的深紫外led封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，所述等腰梯形较短的一条底边与腰的夹角大于90°且小于180°。
6.如权利要求1所述的深紫外led封装用陶瓷外壳的制备方法，其特征在于，所述陶瓷外壳还包括密封盖...
【专利技术属性】
技术研发人员：张倩，杨振涛，马栋栋，刘林杰，曹正宇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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