【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种基板的制备方法、基板。
技术介绍
1、集成电路制造中，多个叠置的基板间通常需要导孔实现键合。此类导孔，例如：tsv(through silicon via，中文为：穿过硅片通道)、tgv(through glass via，中文为：玻璃通孔)。
2、现有的半导体工艺在制备基板时，需要采用溅射工艺在基板外表面(即非孔区)、导孔的孔侧壁与孔底壁覆盖金属层，实现基板外表面(即非孔区)、导孔的孔侧壁与孔底壁的金属化，为后续的在导孔内填铜，在多个叠置的基板间通常需要导孔实现键合奠定基础。
3、相对于基板的外表面积，导孔的孔径小且孔深长。由此，在溅射时，金属粒子进入导孔内覆盖孔侧壁及孔底壁的难度大于金属粒子覆盖基板外表面(即非孔区)的难度。溅射后，往往存在导孔的孔侧壁与孔底壁金属层厚度小于基板的非孔区金属层厚度(金属层厚度不均匀)的问题。金属层厚度不均进一步带来的基板易断裂、后续工艺执行失败率高、基板良率低的问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种基板的制备方法、基板，以解决溅射后导孔的孔侧壁与孔底壁金属层厚度小于基板的非孔区金属层厚度(金属层厚度不均匀)的问题、解决金属层厚度不均进一步带来的基板易断裂、后续工艺执行失败率高、基板良率低的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：
3、第一方面，本专利技术实施例提供了一种基板的制备方法，所述基板具有沿所述基板的厚度方向延伸的导孔
4、采用掩膜遮挡所述导孔外周的非孔区，在所述导孔的孔侧壁及孔底壁形成第一金属层；
5、移除所述掩膜，露出所述非孔区，在所述非孔区、所述导孔的孔侧壁及孔底壁的所述第一金属层上形成第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层为同种金属；
6、在所述第二金属层上形成第三金属层。
7、可选地，所述第三金属层包括：第四金属层、第五金属层；
8、在所述第二金属层上形成第三金属层的步骤，包括：
9、采用所述掩膜遮挡所述非孔区，对所述导孔的孔侧壁及孔底壁形成所述第四金属层；
10、移除所述掩膜，露出所述非孔区，在所述非孔区、所述导孔的孔侧壁及孔底壁的所述第四金属层上形成第五金属层，所述第四金属层与所述第五金属层为同种金属。
11、可选地，所述第四金属层与所述第五金属层为铜金属层。
12、可选地，所述第一金属层与所述第二金属层为钛金属层。
13、可选地，所述第一金属层与所述第二金属层的总厚度a满足：0.05μm≤a≤1.5μm。
14、可选地，所述第三金属层的厚度b满足：0.05μm≤b≤1.5μm。
15、可选地，所述非孔区的所述第一金属层的厚度、所述导孔的孔侧壁的所述第一金属层及所述第二金属层的总厚度、所述导孔的孔底壁的所述第一金属层及所述第二金属层的总厚度三者之间比例值m满足：1:0.8:0.8≤m≤1:1.2:1.2。
16、可选地，所述非孔区的所述第三金属层的厚度、所述导孔的孔侧壁的所述第三金属层的厚度、所述导孔的孔底壁的所述第三金属层的厚度三者之间比例值n满足：1:0.8:0.8≤n≤1:1.2:1.2。
17、可选地，所述导孔呈圆台状，所述导孔的开口端的内径＞所述导孔的侧壁段的内径。
18、第二方面，本专利技术实施例提供了一种基板，包括：
19、沿所述基板的厚度方向延伸的导孔；
20、设置于所述导孔的孔侧壁及孔底壁上的第一金属层；
21、设置于所述导孔外周的非孔区、所述导孔的孔侧壁及孔底壁的所述第一金属层上的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层为同种金属；
22、设置于所述第二金属层上的第三金属层；
23、所述非孔区的所述第一金属层的厚度、所述导孔的孔侧壁的所述第一金属层及所述第二金属层的总厚度、所述导孔的孔底壁的所述第一金属层及所述第二金属层的总厚度三者之间比例值m满足：1:0.8:0.8≤m≤1:1.2:1.2。
24、可选地，
25、所述非孔区的所述第三金属层的厚度、所述导孔的孔侧壁的所述第三金属层的厚度、所述导孔的孔底壁的所述第三金属层的厚度三者之间比例值n满足：1:0.8:0.8≤n≤1:1.2:1.2。
26、本专利技术实施例中，针对溅射工艺中存在的导孔的孔侧壁与孔底壁金属层厚度小于基板的非孔区金属层厚度(金属层厚度不均匀)的问题，通过采用掩膜遮挡导孔外周的非孔区，在导孔的孔侧壁及孔底壁形成第一金属层，在导孔的孔侧壁与孔底壁先沉积一层第一金属层，再通过移除掩膜，露出非孔区，在非孔区、导孔的孔侧壁及孔底壁的第一金属层上形成第二金属层，第一金属层与第二金属层为同种金属，实现对非孔区、导孔的孔侧壁及孔底壁的溅射，非孔区上形成第二金属层，导孔的孔侧壁及孔底壁的第一金属层上形成第二金属层，进而实现导孔的孔侧壁与孔底壁金属层厚度与基板的非孔区金属层厚度相当，确保金属层厚度均匀。本专利技术实施例能够有效避免金属层厚度不均带来的基板易断裂问题，为后续工序的顺利进行奠定坚实基础，提升基板良率。
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1.一种基板的制备方法，其特征在于，所述基板具有沿所述基板的厚度方向延伸的导孔，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三金属层包括：第四金属层、第五金属层；
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第四金属层与所述第五金属层为铜金属层。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层为钛金属层。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层的总厚度a满足：0.05μm≤a≤1.5μm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三金属层的厚度b满足：0.05μm≤b≤1.5μm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
10.一种基板，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种基板的制备方法，其特征在于，所述基板具有沿所述基板的厚度方向延伸的导孔，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第三金属层包括：第四金属层、第五金属层；
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第四金属层与所述第五金属层为铜金属层。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层为钛金属层。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘星华，
申请(专利权)人：成都奕成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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