【技术实现步骤摘要】
本公开涉及如权利要求1所述的制造半导体器件的方法。本公开还涉及使用该方法制造的半导体器件和根据权利要求12中所述方法制造的mosfet器件。
技术介绍
1、在现有技术专利文献us-b2-8269282中公开了一种已知的半导体器件。该已知器件包括沿着半导体区域中的沟槽设置的至少一个场效应晶体管。该半导体区域具有至少一个局部界定的掺杂剂区域。所述至少一个局部界定的掺杂剂区域从晶体管的源极区域和本体区域之间或者晶体管的漏极区域和本体区域之间的pn结延伸到本体区域中直至栅极电极、或者在晶体管的源极区域和本体区域之间或者晶体管的漏极区域和本体区域之间的pn结之上延伸到本体区域中直至栅极电极，使得通过局部界定的掺杂物区域桥接本体区域中的pn结和栅极电极之间的间隙。第二(下部)沟槽比上部沟槽更薄。
2、us-b1-905690公开了一种半导体器件，其中通过首先在衬底上形成外延层来制造场效应晶体管。随后，在外延层上形成具有氧化物层的沟槽。氧化物层具有第一电极部分和第二电极部分，第一电极部分具有第一宽度和第一高度，而第二电极部分具有第二宽度和...
【技术保护点】
1.一种用于制造沟槽栅半导体器件(1)的方法，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述步骤i)中，应用各向异性蚀刻。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述步骤i)中，将各向同性蚀刻和各向异性蚀刻的应用相组合。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中在所述步骤f)中，沉积所述氮化物层和/或步骤g)形成氮化物间隔层包括沉积氮化硅。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的方法，其中在所述步骤i)或所述步骤n)中包括使用反应离子蚀刻工艺。
6.根据前述权利要求1至5中任一项所述的方法，...
【技术特征摘要】
1.一种用于制造沟槽栅半导体器件(1)的方法，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述步骤i)中，应用各向异性蚀刻。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述步骤i)中，将各向同性蚀刻和各向异性蚀刻的应用相组合。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中在所述步骤f)中，沉积所述氮化物层和/或步骤g)形成氮化物间隔层包括沉积氮化硅。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的方法，其中在所述步骤i)或所述步骤n)中包括使用反应离子蚀刻工艺。
6.根据前述权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在所述步骤g)中，所述氮化物间隔层的形成包括对所述第一沟槽的底部部分的所述氮化物层进行干法蚀刻。
7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述蚀刻中是各向异性的。
8.根据前述权利要求1至7中任一项所述的方法，其中在所述步骤g)中，应用氧化物蚀刻。
9.根据前述权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述步骤l)包括所述第一沟槽和所述第二沟槽的氧化和/或氧化物沉积或用热退火进行氧化物的沉积。
10.根据前述权利要求1至9中任一项所述的方法，其中步骤a)至u)中的任意步骤包括热退火步骤。
11.根据前述权利要求1至1...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿里亚德普·姆里纳尔，基里安·翁，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：
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