【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片封装，具体而言，涉及一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构。
技术介绍
1、芯片又被称为微电路、微芯片和集成电路等，它其实是半导体电子元件产品的统称。芯片的分类有很多，按照不同的处理信号可分为模拟芯片和数字芯片两种。为了对芯片进行保护，需要将芯片进行封装，芯片封装后形成芯片封装结构。
2、然而，通过相关技术中的方法制作的芯片封装结构的成本较高且可靠性不够高。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构，旨在解决通过相关技术中的方法制作的芯片封装结构的可靠性不够高的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种芯片封装结构的制作方法，所述方法包括：
3、提供一载板；
4、将芯片组件贴合在所述载板的一侧，所述芯片组件包括至少一个芯片，所述芯片包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面与所述载板的一侧贴合，所述第二面上设有引脚以及与所述引脚电连接的导电柱；
5、在所述载板的一侧形成覆盖所述芯片组件的塑封层；
6、在所述塑封层远离所述载板的一侧形成重布线层，所述重布线层包括重布线单元，所述重布线单元与所述芯片的导电柱电连接。
7、在一些可能的实施方式中，沿垂直于所述载板的方向，所述导电柱的高度小于或等于20μm，所述在所述塑封层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤，包括：
8、对所述塑封层远离所述载板的一侧进行研磨，以暴露至少部分所述导
9、在所述塑封层远离所述载板的一侧形成第一绝缘层；
10、在所述第一绝缘层上形成暴露至少部分所述导电柱的第一过孔；
11、在所述第一绝缘层远离所述载板的一侧形成重布线层，所述重布线层通过所述第一过孔与所述芯片的导电柱电连接。
12、在一些可能的实施方式中，所述在所述第一绝缘层上形成暴露至少部分所述导电柱的第一过孔的步骤，包括：
13、在所述第一绝缘层上形成暴露至少部分所述导电柱的第一过孔以及在所述第一绝缘层远离载板的一侧形成第一凹凸结构。
14、在一些可能的实施方式中，所述在所述第一绝缘层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤，包括：
15、在所述第一绝缘层远离所述载板的一侧形成种子层，所述种子层延伸至所述第一过孔内，所述种子层与所述第一绝缘层之间通过所述第一凹凸结构形成第一咬合结构；
16、在所述种子层远离所述载板的一侧形成重布线层；
17、对所述重布线层和所述种子层进行图形化处理，以形成所述重布线单元。
18、在一些可能的实施方式中，所述在所述种子层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤，包括：
19、在所述种子层远离所述载板的一侧形成重布线层以及在所述重布线层远离所述载板的一侧形成第二凹凸结构。
20、在一些可能的实施方式中，在所述第一绝缘层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤之后，还包括：
21、在所述第一绝缘层远离所述载板的一侧形成覆盖所述重布线层的第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述重布线层之间通过所述第二凹凸结构形成第二咬合结构；
22、在所述第二绝缘层上形成暴露至少部分重布线单元的第二过孔；
23、在所述第二绝缘层远离所述载板的一侧形成外接导电层，所述外接导电层包括外接导电块，所述外接导电块通过所述第二过孔与所述重布线单元电连接。
24、在一些可能的实施方式中，在所述第二绝缘层远离所述载板的一侧形成外接导电层的步骤之后，还包括：
25、去除所述载板；
26、在所述外接导电层远离所述芯片组件的一侧形成导电球，所述导电球与所述外接导电块电连接。
27、在一些可能的实施方式中，所述在所述外接导电层远离所述芯片组件的一侧形成导电球的步骤，包括：
28、在所述外接导电层远离所述芯片组件的一侧形成第三凹凸结构；
29、对包括第三凹凸结构的所述外接导电层进行图形化处理，以形成外接导电块；
30、在所述外接导电块包括第三凹凸结构的一侧形成导电球，所述导电球与所述外接导电块之间通过所述第三凹凸结构形成第三咬合结构。
31、在一些可能的实施方式中，所述将芯片组件贴合在所述载板的一侧，还包括：
32、在所述载板的一侧形成键合胶层；
33、在所述键合胶层远离所述载板的一侧形成辅助粘胶层；
34、将芯片组件贴合在所述辅助粘胶层远离所述载板的一侧。
35、在一些可能的实施方式中，本申请还提供了一种芯片封装结构，所述芯片封装结构由本申请中所述的芯片封装结构的制作方法制备得到。
36、相对于相关技术而言，本申请至少具有以下有益效果：
37、本申请实施例提出的一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构，通过本申请的方法制作的芯片封装结构不包括第三绝缘层和daf贴膜，从而可以减少设置第三绝缘层和daf贴膜的成本，以及可以提高该芯片封装结构的热传导和稳定性，进而可以提高该芯片封装结构的可靠性和降低该芯片封装结构的制作成本。
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1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，沿垂直于所述载板的方向，所述导电柱的高度小于或等于20μm，所述在所述塑封层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上形成暴露至少部分所述导电柱的第一过孔的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤，包括：
5.如权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述种子层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤，包括：
6.如权利要求5所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在所述第一绝缘层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤之后，还包括：
7.如权利要求6所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在所述第二绝缘层远离所述载板的一侧形成外接导电层的步骤之后，还包括：
8.如权利要求7所述的芯片封装结构的制作
9.如权利要求1-8任意一项所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述将芯片组件贴合在所述载板的一侧，还包括：
10.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构由权利要求1-9中任意一项所述的芯片封装结构的制作方法制作得到。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，沿垂直于所述载板的方向，所述导电柱的高度小于或等于20μm，所述在所述塑封层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤，包括：
3.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上形成暴露至少部分所述导电柱的第一过孔的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤，包括：
5.如权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述在所述种子层远离所述载板的一侧形成重布线层的步骤，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李梦强，麻泽宇，李高林，杨啸天，
申请(专利权)人：成都奕成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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