【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及一种用于形成功率半导体模块装置的方法。
技术介绍
1、功率半导体模块通常包括壳体内的衬底。衬底通常包括衬底层(例如，陶瓷层)、沉积在衬底层的第一侧上的第一金属化层、以及任选地沉积在衬底层的第二侧上的第二金属化层。包括一个或多个可控半导体元件(例如，igbt、mosfet、hemt)以及诸如无源部件、接合线等的其他元件的半导体装置可以布置在衬底上。通常提供一个或多个端子元件(触点元件)，其允许从壳体外部接触这种半导体装置。功率半导体模块是已知的，其中端子元件被布置在衬底上并且在基本上垂直于衬底的主表面的方向上突出穿过壳体的盖。
2、需要一种用于形成功率半导体模块装置的方法，其允许以高效且成本有效的方式将端子元件机械和电地耦接到金属层(例如，衬底的金属层)，而不产生可能潜在地影响功率半导体模块的功能的污染物。
技术实现思路
1、一种方法包括借助于冲头(punch)在金属层的第一表面的一部分上施加按压力，其中，将金属层布置在工作表面上，其中金属层的第二表面面对工作表面，其中，第二表面与第一表面相反布置，并且利用按压力使冲头压靠第一表面的所述部分，所述按压力迫使金属层的材料逆着冲头的冲程向上流动，从而形成在垂直方向上从第一表面并远离第二表面延伸的套管(sleeve)，或者利用按压力使冲头压靠第一表面的所述部分，并迫使冲头朝向第二表面穿过金属层，所述按压力迫使金属层的材料随着冲头的冲程向下流动，从而形成在垂直方向上从第二表面并远离第一表面延伸的套管。该方法还包括：在
2、参考以下附图和描述可以更好地理解本专利技术。附图中的部件不一定按比例绘制，而是将重点放在说明本专利技术的原理上。此外，在附图中，类似的附图标记在不同视图中表示对应的部分。
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1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述金属层(110)布置在所述壳体(7)中之前，将所述金属层(110)布置在电介质绝缘层(11)上，其中，所述金属层(110)被布置在所述电介质绝缘层(11)上，使得所述套管(62)背对所述电介质绝缘层(11)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述金属层(110)布置在电介质绝缘层(11)上包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力，所述金属层(110)包括铜、铜合金、铝或铝合金，或者由铜、铜合金、铝或铝合金组成。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括借助于包括成形工具(94)的冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力，其中，所述成形工具(9
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括以脉冲方式将所述冲头(92)从所述第一表面(101)朝向所述第二表面(102)移动。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括旋转所述冲头(92)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括使所述冲头(92)振荡。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括执行超声波支持的材料成形。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括向所述金属层(110)施加热量。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力之前，在所述第一表面(101)的所述部分上形成导电材料层(118)。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力的步骤期间，借助于延伸穿过所述冲头(92)的通道将限定量的导电材料供应到所述金属层(110)。
14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括在所述第一表面(101)的具有0.4与5mm之间的最大延伸的部分上施加按压力。
...【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述金属层(110)布置在所述壳体(7)中之前，将所述金属层(110)布置在电介质绝缘层(11)上，其中，所述金属层(110)被布置在所述电介质绝缘层(11)上，使得所述套管(62)背对所述电介质绝缘层(11)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述金属层(110)布置在电介质绝缘层(11)上包括：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力，所述金属层(110)包括铜、铜合金、铝或铝合金，或者由铜、铜合金、铝或铝合金组成。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括借助于包括成形工具(94)的冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力，其中，所述成形工具(94)包括周向围绕所述冲头(92)的套管。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，借助于冲头(92)在金属层(110)的第一表面(101)的部分上施加按压力包括以脉冲方式将所述冲头(92)从所述第一表面(101)朝向所述第二表面(102)移动。
8.根据前述权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·迈斯，G·施特罗特曼，F·德雷普斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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