【技术实现步骤摘要】
LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法
[0001]本专利技术涉及半导体光电器件测试领域,尤其涉及一种LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法。
技术介绍
[0002]现有的LED晶圆在切割分选后,即单颗晶粒成品工艺完成后,需要对P/N电极粘附性的抽检验证,以确保电极粘附性符合品质要求,保证产品出货的品质。目前抽取样品的方式是:在切割站手动、随机抽取晶圆作为抽样晶圆,然后在该臭氧晶圆分选完成的晶粒中随机人工抓取晶粒进行测试。这种抽样检测方法存在以下几个问题:1,过程复杂,且需要人工作业,效率低。2,抽样操作会严重干预正常流水线生产。3,抽样准确度低,漏检几率很高。具体的,由于每批次蒸镀对多个晶圆进行蒸镀,而进入切割站时并不分批进入,因此很容易造成不同蒸镀批次的晶圆漏检。4,检测结果难以及时反馈至分选站,难以精确拦截,容易漏出不合格晶粒。
技术实现思路
[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于,提供一种miniLED晶圆的LED芯片电极粘附性的抽检方法,其可提升检测效率和检测准确性。
[0004] ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片电极粘附性的抽检方法,其特征在于,包括:S1:根据电极形成的批次对晶圆进行分类,得到分类后的多个晶圆组;S2:对每组晶圆组进行抽样并标记,以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆;S3:对标记晶圆进行测试分选;并在每个标记晶圆中抽出一个或多个标记晶粒;S4:对标记晶粒的电极粘附性进行测试。2.如权利要求1所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法,其特征在于,步骤S1中,根据电极蒸镀锅次对晶圆进行分类。3.如权利要求1所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法,其特征在于,步骤S2中,每组晶圆组中,抽取最早流入分选站的1~3个晶圆作为标记晶圆。4.如权利要求1所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法,其特征在于,步骤S3中,每个标记晶圆上取样10~40颗标记晶粒。5.如权利要求4所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法,其特征在于,所述标记晶粒均匀分布于所述标记晶圆的上部、下部、中部、左侧和右侧。6.如权利要求1所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法,其特征在于,步骤S3中,分选标记晶圆中的标记晶粒的同时也分选其他晶粒,并将所述标记晶粒单独设置分选等级。7.一种基于电...
【专利技术属性】
技术研发人员:黎银英,彭凌,何德义,李进,
申请(专利权)人:佛山市国星半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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