LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法，涉及半导体光电器件测试领域。该抽检方法包括：S1：根据电极形成的批次对晶圆进行分类，得到分类后的多个晶圆组；S2：对每组晶圆组进行抽样并标记，以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆；S3：对标记晶圆进行测试分选；并在每个标记晶圆中抽出一个或多个标记晶粒；S4：对标记晶粒的电极粘附性进行测试。本发明专利技术实现了晶圆、晶粒的自动选定、取样，大幅度提升了取样效率和准确性；同时也有效避免了漏检，避免不合格的风险片流出。避免不合格的风险片流出。避免不合格的风险片流出。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件测试领域，尤其涉及一种LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法。

技术介绍

[0002]现有的LED晶圆在切割分选后，即单颗晶粒成品工艺完成后，需要对P/N电极粘附性的抽检验证，以确保电极粘附性符合品质要求，保证产品出货的品质。目前抽取样品的方式是：在切割站手动、随机抽取晶圆作为抽样晶圆，然后在该臭氧晶圆分选完成的晶粒中随机人工抓取晶粒进行测试。这种抽样检测方法存在以下几个问题：1，过程复杂，且需要人工作业，效率低。2，抽样操作会严重干预正常流水线生产。3，抽样准确度低，漏检几率很高。具体的，由于每批次蒸镀对多个晶圆进行蒸镀，而进入切割站时并不分批进入，因此很容易造成不同蒸镀批次的晶圆漏检。4，检测结果难以及时反馈至分选站，难以精确拦截，容易漏出不合格晶粒。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种miniLED晶圆的LED芯片电极粘附性的抽检方法，其可提升检测效率和检测准确性。
[0004]本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种基于电极粘附性测试的LED芯片分选方法，其可提升分选效率。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术公开了一种LED芯片电极粘附性的抽检方法，其包括：
[0006]S1：根据电极形成的批次对晶圆进行分类，得到分类后的多个晶圆组；
[0007]S2：对每组晶圆组进行抽样并标记，以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆；
[0008]S3：对标记晶圆进行测试分选；并在每个标记晶圆中抽出一个或多个标记晶粒；
[0009]S4：对标记晶粒的电极粘附性进行测试。
[0010]作为上述技术方案的改进，步骤S1中，根据电极蒸镀锅次对晶圆进行分类。
[0011]作为上述技术方案的改进，步骤S2中，每组晶圆组中，抽取最早流入分选站的1～3个晶圆作为标记晶圆。
[0012]作为上述技术方案的改进，步骤S3中，每个标记晶圆上取样10～40颗标记晶粒。
[0013]作为上述技术方案的改进，所述标记晶粒均匀分布于所述标记晶圆的上部、下部、中部、左侧和右侧。
[0014]作为上述技术方案的改进，步骤S3中，分选标记晶圆中的标记晶粒的同时也分选其他晶粒，并将所述标记晶粒单独设置分选等级
[0015]相应的，本专利技术还公开了一种基于电极粘附性测试的LED芯片分选方法，其包括：
[0016]A1：根据电极形成的批次对晶圆进行分类，得到分类后的多个晶圆组；
[0017]A2：将同组晶圆组加载至分选站，并抽样标记，以从每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆；
[0018]A3：对晶圆组中的标记晶圆进行测试分选；测试分选时，对每个标记晶圆上的晶粒进行抽样并分选，得到标记晶粒；
[0019]A4：对标记晶粒的电极粘附性进行测试，并判断电极粘附性是否位于预设阈值区间；
[0020]判断为是时，以该晶圆组中的其他晶圆进行测试分选；
[0021]判断为否时，将另一晶圆组加载至分选站，并重复步骤A2～A4。
[0022]作为上述技术方案的改进，步骤A1中，根据电极蒸镀锅次对晶圆进行分类。
[0023]作为上述技术方案的改进，步骤A2中，每组晶圆组中，抽取最早流入分选站的1～3个晶圆作为标记晶圆，且每个标记晶圆上取样10～40颗标记晶粒。
[0024]作为上述技术方案的改进，步骤A3中，分选标记晶圆中的标记晶粒的同时也分选其他晶粒，并将所述标记晶粒单独设置分选等级。
[0025]实施本专利技术，具有以下有益效果：
[0026]1，本专利技术的LED芯片电极粘附性的抽检方法，以电极形成的批次对晶圆进行分类，然后对分类所得的每组晶圆组进行抽样，得到标记晶圆；然后在标记晶圆中进行抽样，得到标记晶粒，最后检测标记晶粒的电极粘附性。基于该抽检方法，实现了晶圆、晶粒的自动选定、取样，大幅度提升了取样效率和准确性。同时，也有效避免了漏检，避免不合格的风险片流出。
[0027]2，本专利技术的基于电极粘附性测试的LED芯片分选方法，可根据电极粘附性测试结果对分选操作进行反馈，当测试不合格时，即对同批次的晶圆放弃分选，有效提升了分选效率，同时确保了分选后晶粒的合格率。
附图说明
[0028]图1是本专利技术一实施例中LED芯片电极粘附性的抽检方法流程图；
[0029]图2是本专利技术一实施例中基于电极粘附性测试的LED芯片分选方法流程图；
[0030]图3是本专利技术实施例中标记晶圆上标记晶粒的分布位置示意图；
[0031]图4是本专利技术实施例中标记晶圆上各晶粒的分级示意图。
具体实施方式
[0032]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本专利技术作进一步地详细描述。
[0033]参考图1，本专利技术公开了一种LED芯片电极粘附性的抽检方法，其包括：
[0034]S1：根据电极形成的批次对晶圆进行分类，得到分类后的多个晶圆组；
[0035]具体的，在本专利技术的一个实施例中，采用蒸镀法形成LED芯片的电极，故根据电极蒸镀锅次对晶圆进行分类，将同一锅蒸镀的晶圆分为一晶圆组，进行后续步骤。
[0036]在本专利技术的另一个实施例中，采用MOCVD法形成LED芯片电极；此时，可根据反应器处理批次对晶圆进行分类，即将反应器同批次沉积的晶圆分为一个晶圆组，进而进行后续步骤。
[0037]进一步的，在分类完成后，对晶圆组中的晶圆进行标记。
[0038]S2：对每组晶圆组进行抽样并标记，以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆；
[0039]具体的，在形成电极后，LED芯片按照正常生产流程进行后续工艺，无需人工干预。当其进入分选站后，开始抽样标记步骤。
[0040]具体的，在本专利技术的一个实施例中，对每组晶圆组中的晶圆进行随机抽样，确定标记晶圆。在本专利技术的另一个实施例中，抽取最早流入分选站的1～3个晶圆作为标记晶圆，采用这种抽样方法，可使得验证时效性最高。
[0041]S3：对标记晶圆进行测试分选；并在每个标记晶圆中抽出一个或多个标记晶粒；
[0042]具体的，对标记晶圆上的所有晶粒进行测试分选，分选过程中，抽取10～40颗晶粒作为标记晶粒。具体的，标记晶粒应均匀分布于标记晶圆的上部、下部、中部、左侧和右侧。
[0043]进一步的，分选标记晶圆中的标记晶粒的同时也分选其他晶粒，并单独设置分选等级以放置所述标记晶粒。采用此种方式，可实现自动取样，提升取样效率。
[0044]S4：对标记晶粒的电极粘附性进行测试；
[0045]具体的，可依据CN201911164370的方法对标记晶粒的电极粘附性进行测试，但不限于此。
[0046]基于上述抽检方法，一者对不同蒸镀炉次的晶圆实现了全覆盖抽样，提升了异常检出率，同时确保不发生漏检。二者在产品自动流水作业同时，系统自动实现取样片选定、取样晶粒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片电极粘附性的抽检方法，其特征在于，包括：S1：根据电极形成的批次对晶圆进行分类，得到分类后的多个晶圆组；S2：对每组晶圆组进行抽样并标记，以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆；S3：对标记晶圆进行测试分选；并在每个标记晶圆中抽出一个或多个标记晶粒；S4：对标记晶粒的电极粘附性进行测试。2.如权利要求1所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法，其特征在于，步骤S1中，根据电极蒸镀锅次对晶圆进行分类。3.如权利要求1所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法，其特征在于，步骤S2中，每组晶圆组中，抽取最早流入分选站的1～3个晶圆作为标记晶圆。4.如权利要求1所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法，其特征在于，步骤S3中，每个标记晶圆上取样10～40颗标记晶粒。5.如权利要求4所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法，其特征在于，所述标记晶粒均匀分布于所述标记晶圆的上部、下部、中部、左侧和右侧。6.如权利要求1所述的LED芯片电极粘附性的抽检方法，其特征在于，步骤S3中，分选标记晶圆中的标记晶粒的同时也分选其他晶粒，并将所述标记晶粒单独设置分选等级。7.一种基于电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎银英，彭凌，何德义，李进，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：