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本发明公开了一种LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法,涉及半导体光电器件测试领域。该抽检方法包括:S1:根据电极形成的批次对晶圆进行分类,得到分类后的多个晶圆组;S2:对每组晶圆组进行抽样并标记,以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆;...该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种LED芯片电极粘附性的抽检方法及分选方法,涉及半导体光电器件测试领域。该抽检方法包括:S1:根据电极形成的批次对晶圆进行分类,得到分类后的多个晶圆组;S2:对每组晶圆组进行抽样并标记,以在每组晶圆组中抽出一个或多个标记晶圆;...