一种LED晶粒外观检测方法技术

本发明专利技术公开了一种LED晶粒外观检测方法，包括对LED晶粒进行光学检测，获得外观参数文档；根据所述外观参数文档将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶粒和可疑晶粒；获取可疑晶粒的图片，并根据所述可疑晶粒的图片判断所述可疑晶粒的外观缺陷种类；根据所述外观缺陷种类将所述可疑晶粒分为第二合格晶粒和第二不合格晶粒。本申请的检测方法在晶圆阶段进行复判，可以及时地将不合格晶粒挑选出来，避免不合格晶粒分选排列到成品方片上，从而省去人工目检的步骤，进而节省了大量的人力和显微镜成本。和显微镜成本。和显微镜成本。

【技术实现步骤摘要】
一种LED晶粒外观检测方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种LED晶粒外观检测方法。

技术介绍

[0002]LED晶圆在完成电性参数测试、外观自动光学检测(Automated OpticalInspection，AOI)、晶圆良品分选后，LED晶圆上相同等级的晶粒挑选至方片上， 最后需要对成品方片晶粒的外观进行人工目检复检，将AOI检测遗漏的异常晶 粒挑除，以便确保各晶粒的外观是符合出货的品质要求。
[0003]由于AOI检测能力无法做到100％，小部分的异常晶粒会挑选至方片上， 因此需要人工通过显微镜来进行复检，这种方式耗用大量的人力和显微镜设备， 即是为了挑除1％的不合格晶粒，而需要检查100％的成品晶粒，相当于99％的 时间是无用功，极大的影响效率和人工成本。
[0004]另外，人工显微镜挑除的方式，由于显微镜视野有限，容易漏挑和误挑， 导致异常晶粒没有挑除，形成品质异常。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种LED晶粒外观检测方法，效率 高，成本低，不合格晶粒的检出率高。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种LED晶粒外观检测方法，包括：
[0007]对LED晶粒进行光学检测，获得外观参数文档，所述外观参数文档包括晶 粒缺陷面积比例；
[0008]根据所述外观参数文档将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶 粒和可疑晶粒，所述可疑晶粒的晶粒缺陷面积比例在预设范围，所述第一合格 晶粒的晶粒缺陷面积比例小于预设范围，所述第一不合格晶粒的晶粒缺陷面积 比例大于预设范围；
[0009]获取可疑晶粒的图片，并根据所述可疑晶粒的图片判断所述可疑晶粒的外 观缺陷种类，所述外观缺陷种类包括外延外观缺陷和污染外观缺陷；
[0010]根据所述外观缺陷种类将所述可疑晶粒分为第二合格晶粒和第二不合格晶 粒，其中，若所述可疑晶粒的外观缺陷种类为外延外观缺陷，则所述可疑晶粒 为第二不合格晶粒，若所述可疑晶粒的外观缺陷种类为污染外观缺陷，则所述 可疑晶粒为第二合格晶粒，所述第一合格晶粒和第二合格晶粒组成合格晶粒， 所述第一不合格晶粒和第二不合格晶粒组成不合格晶粒。
[0011]作为上述方案的改进，所述外观参数文档还包括晶粒缺陷面积，其中，晶 粒瑕疵面积比例＝晶粒瑕疵面积/晶粒出光面积，所述晶粒出光面积是指LED晶 粒在光学检测设备上出光面正投影的面积，所述晶粒缺陷面积是LED晶粒在光 学检测设备上缺陷正投影的的总面积。
[0012]作为上述方案的改进，所述外延外观缺陷是指由LED晶粒的外延缺陷所引 起的外
观缺陷，所述污染外观缺陷是指LED晶粒在制备过程中由外界污染所引 起的外观缺陷。
[0013]作为上述方案的改进，所述外观缺陷包括掉电极、发光层脱落、划痕、粘 有污染物、凹陷、裂痕中的一种或几种。
[0014]作为上述方案的改进，将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶 粒和可疑晶粒的方法包括：
[0015]设定第一判断标准，若所述LED晶粒的晶粒缺陷面积比例小于等于第一判 断标准，则所述LED晶粒为初选晶粒，若所述LED晶粒的晶粒缺陷面积比例大 于第一判断标准，则所述LED晶粒为第一不合格晶粒；
[0016]设定第二判断标准，若所述初选晶粒的晶粒缺陷面积比例小于第二判断标 准，则所述初选晶粒为第一合格晶粒，若所述初选晶粒的晶粒缺陷面积比例大 于等于第二判断标准，则所述初选晶粒为可疑晶粒；
[0017]其中，所述第二判断标准中晶粒缺陷面积比例小于第一判断标准中晶粒缺 陷面积比例。
[0018]作为上述方案的改进，所述第一判断标准中晶粒缺陷面积比例为30％～60％， 所述第二判断标准中晶粒缺陷面积比例为10％～40％。
[0019]作为上述方案的改进，对所述可疑晶粒进行扫描，以生成所述可疑晶粒的 图片；
[0020]将所述可疑晶粒的图片传送至显示设备，并根据所述可疑晶粒的图片判断 所述可疑晶粒的外观缺陷种类，将所述可疑晶粒分为第二合格晶粒和第二不合 格晶粒。
[0021]作为上述方案的改进，所述LED晶粒外观检测方法还包括：
[0022]获取所述LED晶粒的位置信息，所述LED晶粒的位置信息包括合格晶粒的 位置信息和不合格晶粒的位置信息；
[0023]根据所述LED晶粒的位置信息和外观参数文档，获得合格晶粒的外观信息 和不合格晶粒的外观信息；
[0024]根据所述合格晶粒的外观信息和不合格晶粒的外观信息，将所述合格晶粒 归为良品等级，将所述不合格晶粒归为不良品等级。
[0025]作为上述方案的改进，获取所述LED晶粒的位置信息的方法包括：
[0026]对LED晶粒进行光学检测，在获取外观参数文档的同时，获取LED晶粒的 位置信息，此时LED晶粒的位置信息包括第一合格晶粒的位置信息、第一不合 格晶粒的位置信息和可疑晶粒的位置信息；
[0027]对所述可疑晶粒进行扫描，以获取所述可疑晶粒图片，同时获取所述可疑 晶粒的位置信息，此时可疑晶粒的位置信息包括第二合格晶粒的位置信息和第 二不合格晶粒的位置信息；
[0028]其中，所述第一合格晶粒的位置信息和第二合格晶粒的位置信息组成所述 合格晶粒的位置信息，所述第一不合格晶粒的位置信息和第二不合格晶粒的位 置信息组成所述不合格晶粒的位置信息。
[0029]作为上述方案的改进，分选设备根据所述合格晶粒的外观信息，将所述合 格晶粒排列至成品方片上，所述成品方片上的LED晶粒的外观合格率为100％。
[0030]实施本专利技术，具有如下有益效果：
[0031]本申请的检测方法是一种全新的LED晶粒外观检测方法，在晶圆阶段进行 复判，
可以及时地将不合格晶粒挑选出来，避免不合格晶粒分选排列到成品方 片上，从而省去人工目检的步骤，进而节省了大量的人力和显微镜成本。
[0032]本申请的检测方法将可疑晶粒生成图片来进行复判，由于图片的观察视野 和清晰度比显微镜好，因此本申请不合格晶粒的检测率高，准确率也高。
[0033]本申请的检测方法可以将多张可疑晶粒的图片同时显示在显示设备上，因 此可以对多个可疑晶粒的图片进行比对和判断，不仅操作方，还可以提高复判 的准确性。
[0034]本申请的检测方法由于收集了可疑晶粒的位置信息和外观信息，因此可以 实现不合格晶粒的精细化统计以便于前工艺的改善和品质提升，还可以实现不 合格晶粒的多次复核和晶圆的精准追溯。
附图说明
[0035]图1是本申请实施例中2颗可疑晶粒的图片；
[0036]图2是本申请实施例中12颗可疑晶粒的图片。
具体实施方式
[0037]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术 作进一步地详细描述。
[0038]本申请提供的一种LED晶粒外观检测方法，包括以下步骤：
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED晶粒外观检测方法，其特征在于，包括：对LED晶粒进行光学检测，获得外观参数文档，所述外观参数文档包括晶粒缺陷面积比例；根据所述外观参数文档将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶粒和可疑晶粒，所述可疑晶粒的晶粒缺陷面积比例在预设范围，所述第一合格晶粒的晶粒缺陷面积比例小于预设范围，所述第一不合格晶粒的晶粒缺陷面积比例大于预设范围；获取可疑晶粒的图片，并根据所述可疑晶粒的图片判断所述可疑晶粒的外观缺陷种类，所述外观缺陷种类包括外延外观缺陷和污染外观缺陷；根据所述外观缺陷种类将所述可疑晶粒分为第二合格晶粒和第二不合格晶粒，其中，若所述可疑晶粒的外观缺陷种类为外延外观缺陷，则所述可疑晶粒为第二不合格晶粒，若所述可疑晶粒的外观缺陷种类为污染外观缺陷，则所述可疑晶粒为第二合格晶粒，所述第一合格晶粒和第二合格晶粒组成合格晶粒，所述第一不合格晶粒和第二不合格晶粒组成不合格晶粒。2.如权利要求1所述的LED晶粒外观检测方法，其特征在于，所述外观参数文档还包括晶粒缺陷面积，其中，晶粒瑕疵面积比例＝晶粒瑕疵面积/晶粒出光面积，所述晶粒出光面积是指LED晶粒在光学检测设备上出光面正投影的面积，所述晶粒缺陷面积是LED晶粒在光学检测设备上缺陷正投影的的总面积。3.如权利要求1所述的LED晶粒外观检测方法，其特征在于，所述外延外观缺陷是指由LED晶粒的外延缺陷所引起的外观缺陷，所述污染外观缺陷是指LED晶粒在制备过程中由外界污染所引起的外观缺陷。4.如权利要求1所述的LED晶粒外观检测方法，其特征在于，所述外观缺陷包括掉电极、发光层脱落、划痕、粘有污染物、凹陷、裂痕中的一种或几种。5.如权利要求1所述的LED晶粒外观检测方法，其特征在于，将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶粒和可疑晶粒的方法包括：设定第一判断标准，若所述LED晶粒的晶粒缺陷面积比例小于等于第一判断标准，则所述LED晶粒为初选晶粒，若所述LED晶粒的晶粒缺陷面积比例大于第一判断标准，则所述LED晶粒为第一不合格晶粒；设定第二判断标准，若所述初选晶粒的晶粒缺陷面积比例小于第二判断标准，则所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎银英，陈桂飞，岑崇江，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：