一种高密度微显示LED器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高密度微显示LED器件，包括固定基板、第一基板、垂直结构的LED芯片和第二基板，第一基板设于固定基板上，第一基板上设有多个电路层，每个电路层之间相互绝缘，电路层的下层与固定基板连接，LED芯片包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片，每颗LED芯片按顺序连接在一个电路层的上层上；第二基板上依次设有透明导电层和焊料层，所述焊料层连接在LED芯片的阴电极上。本发明专利技术通过焊料层和透明导电层将第二基板连接在红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片的阴电极上，实现LED芯片的共阴控制，可以缩小芯片与芯片之间的间距，提升LED器件和显示屏幕的分辨率。相应地，本发明专利技术还提供了一种高密度微显示LED器件的制作方法。

A High Density Micro Display LED Device and Its Fabrication Method

The invention discloses a high-density micro-display LED device, which comprises a fixed substrate, a first substrate, a vertical structure of the LED chip and a second substrate. The first substrate is arranged on a fixed substrate. The first substrate is provided with a plurality of circuit layers, each of which is insulated from each other, and the lower layer of the circuit layer is connected with the fixed substrate. The LED chip includes a red-light LED chip, a green-light LED chip and a blue-light LED core. Each LED chip is connected sequentially to the upper layer of a circuit layer, and the second substrate is successively provided with a transparent conductive layer and a solder layer, which is connected to the negative electrode of the LED chip. The second substrate is connected to the negative electrodes of red LED chip, green LED chip and blue LED chip by solder layer and transparent conductive layer to realize common negative control of the LED chip. The distance between the chip and the chip can be reduced, and the resolution of the LED device and the display screen can be improved. Accordingly, the invention also provides a method for fabricating a high-density micro-display LED device.

【技术实现步骤摘要】
一种高密度微显示LED器件及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种高密度微显示LED器件及其制作方法。
技术介绍
LED具有亮度高、工作电压低、功耗小、驱动简单、寿命长、耐冲击、性能稳定等一系列优点，在照明、显示等领域应用广泛。LED显示屏自上世纪八十年代后期在全球迅速兴起，并得到了迅猛发展。进入新世纪后，LED显示屏的技术和产业都取得了长足的发展。LED显示屏是一种新型的信息显示媒体，它是利用红、绿、蓝三色发光二极管点阵模块或像素单元组成的平面式显示屏幕，具有发光效率高、使用寿命长、环境适应能力强、性价比高、组态灵活、色彩丰富等特点。为提高LED显示屏的分辨率，就必须减少红、绿、蓝三色LED芯片之间的间距，从而使单位面积上的像素点尽量的增加。图1是现有RGB显示LED器件的示意图，现有的RGB显示LED器件采用正装LED芯片作为光源，需要通过打线来将LED芯片的电流引到固定基板上，由于金线占用了一部分的空间，使得LED芯片间的间距较大，从而增加了RGB显示LED器件的体积，进而降低LED显示屏的分辨率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种高密度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高密度微显示LED器件，其特征在于，包括：固定基板；设于固定基板上的第一基板，所述第一基板上设有多个电路层，所述电路层包括上层、下层以及贯穿第一基板并连接上层和下层的连接层，每个电路层之间相互绝缘，其中，电路层的下层与固定基板连接；垂直结构的LED芯片，LED芯片包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片，每颗LED芯片按顺序连接在一个电路层的上层上；第二基板，所述第二基板上依次设有透明导电层和焊料层，所述焊料层连接在LED芯片的阴电极上。

【技术特征摘要】
1.一种高密度微显示LED器件，其特征在于，包括：固定基板；设于固定基板上的第一基板，所述第一基板上设有多个电路层，所述电路层包括上层、下层以及贯穿第一基板并连接上层和下层的连接层，每个电路层之间相互绝缘，其中，电路层的下层与固定基板连接；垂直结构的LED芯片，LED芯片包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片，每颗LED芯片按顺序连接在一个电路层的上层上；第二基板，所述第二基板上依次设有透明导电层和焊料层，所述焊料层连接在LED芯片的阴电极上。2.如权利要求1所述的高密度微显示LED器件，其特征在于，所述蓝光LED芯片、绿光LED芯片和红光LED芯片的结构相同，其中，蓝光LED芯片包括支撑层，依次设于支撑层上的焊接金属层、扩散阻挡层、金属反射层、第一欧姆接触层、外延层和第二欧姆接触层，其中，第二欧姆接触层为蓝光LED芯片的阴电极。3.如权利要求1所述的高密度微显示LED器件，其特征在于，所述第二基板为透明基板。4.一种高密度微显示LED器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一基板上形成多个电路层，所述电路层包括上层、下层以及贯穿第一基板并连接上层和下层的连接层；将垂直结构的红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片按顺序连接在电路层上；在第二基板上依次形成透明导电层和焊料层；将红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片的阴电极连接在焊料层上；将电路层的下层连接在固定基板上，从而形成高密度微显示LED器件。5.如权利要求4所述的高密度微显示LED器件的制作方法，其特征在于，采用bo...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亮，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44