The invention discloses a manufacturing method of a vertical structure LED chip, including providing a luminescent structure, which comprises a first substrate, a first semiconductor layer, an active layer, a second semiconductor layer and a metal reflecting layer; a first bonding buffer layer and a first bonding alloy metal layer are formed on the metal reflecting layer in turn; and a second bonding buffer layer and a second bonding alloy metal layer are formed on the second substrate in turn. Metal layer; metal bonding of the first bond alloy layer and the second bond layer to form a connection; removal of the first substrate; placement of hard mask on the surface of the first semiconductor layer, formation of the first electrode on the first semiconductor layer by electron beam evaporation or magnetron sputtering; formation of a single vertical structure LED chip. Accordingly, the invention also provides a vertical structure LED chip. The manufacturing method of the invention does not need to use photolithography process, improves production efficiency and production cost, and reduces environmental pollution caused by organic matter in the photolithography process.
【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种垂直结构LED芯片及其制作方法。
技术介绍
LED作为一种新型的绿色照明光源越来越受到人们的重视，其具有节能环保、发光高效、抗静电、使用寿命长等诸多优点，被应用于各种照明场所。现有的LED芯片主要分为正装结构、倒装结构和垂直结构三大类。三大类传统LED芯片的制作方法中都会使用一种光刻工艺。光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。光刻工艺包括涂覆光刻胶、曝光和显影这三个步骤，以光刻胶为掩膜来制作出所需的各种形状的膜层。其中，光刻工艺的三个步骤中会使用到一些化学试剂，如光刻胶是一种高分子化合物，显影工艺中用到的显影液是一种碱性化学试剂，其价格昂贵、成本高，不正确回收处理还会对我们的环境造成污染。针对这些问题，本专利技术专利提供一种创新的制造方法，是一种全工艺制程中无光刻工艺的制造方法。本制造方法主要针对的是垂直结构的LED芯片，因为垂直结构LED芯片结构具有方向性强的特点，是一种垂直...
【技术保护点】
1.一种垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供发光结构，所述发光结构包括第一衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层和金属反射层；在金属反射层上依次形成第一键合缓冲层和第一键合金属层；在第二衬底上依次形成第二键合缓冲层和第二键合金属层；将第一键合金属层和第二键合层金属键合绑定在一起形成连接；去除第一衬底；将硬质掩膜置于第一半导体层的表面，采用电子束蒸发或磁控溅射的方法在第一半导体层上形成第一电极，其中，所述硬质掩膜上设有与第一电极大小和形状相配的通孔；采用激光切割第二衬底和发光结构，形成单颗的垂直结构LED芯片。
【技术特征摘要】
1.一种垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供发光结构，所述发光结构包括第一衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层和金属反射层；在金属反射层上依次形成第一键合缓冲层和第一键合金属层；在第二衬底上依次形成第二键合缓冲层和第二键合金属层；将第一键合金属层和第二键合层金属键合绑定在一起形成连接；去除第一衬底；将硬质掩膜置于第一半导体层的表面，采用电子束蒸发或磁控溅射的方法在第一半导体层上形成第一电极，其中，所述硬质掩膜上设有与第一电极大小和形状相配的通孔；采用激光切割第二衬底和发光结构，形成单颗的垂直结构LED芯片。2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一键合缓冲层和/或第二键合缓冲层由Cr、Ni、Ti和Pt中的一种或几种制成。3.如权利要求2所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一键合缓冲层和/或第二键合缓冲层的结构为Cr/Ti/Pt/Ti/Pt/Ti/Pt或Cr/Ni/Pt/Ni/Pt或Cr/Ti/Pt/Ni/Pt。4.如权利要求3所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一键合金属层和/或第二键合金属层由Au或Sn或AuSn制成。5.如权利要求4所述的垂直结构LE...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑洪仿，杨振大，黄经发，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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