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本发明公开了一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括提供发光结构，所述发光结构包括第一衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层和金属反射层；在金属反射层上依次形成第一键合缓冲层和第一键合金属层；在第二衬底上依次形成第二键合缓冲层和第二键合金属...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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