The invention provides an LED structure and a manufacturing method of the LED structure, which relates to the technical field of the LED production. LED structure includes template layer, prestressing layer, N-type nitride layer, quantum well layer and P-type nitride layer, template layer, prestressing layer, N-type nitride layer, quantum well layer and P-type nitride layer by layer connection, prestressing layer is used to control the stress of LED structure. The LED structure and the manufacturing method of the LED structure proposed in the invention have the advantages of improving the light extraction efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种LED结构与LED结构制作方法
本专利技术涉及LED制作
，具体而言，涉及一种LED结构与LED结构制作方法。
技术介绍
基于A1GaN材料的深紫外发光二极管(UVLED，ultravioletlight-emittingdiode)在生化探测、杀菌消毒、聚合物固化、无线通讯及白光照明等诸多领域有着广阔的应用前景，同时有着低电压、低功耗、小巧轻便、绿色环保、波长可调、迅速切换等众多优点，因而近年来受到越来越多的研究者的关注和重视。目前深紫外LED的发光效率还普遍较低(1％-3％)，尤其是波长在UV-B(290-320nm)、UV-C(200-290nm)波段的深紫外LED。远低于可见光LED和近紫外LED(40％-50％)的发光效率，而制约高铝氮化物基深紫外LED发光效率的主要因素之一是光提取效率低。有鉴于此，如何解决上述问题，是本领域技术人员关注的重点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种LED结构，以解决现有技术中深紫外LED的发光效率低的问题。本专利技术的另一目的在于提供一种LED结构制作方法，以解决现有技术中深紫外LED的发光效率低...
【技术保护点】
1.一种LED结构，其特征在于，所述LED结构包括模板层、预应力层、N型氮化物层、量子阱层以及P型氮化物层，所述模板层、所述预应力层、所述N型氮化物层、所述量子阱层以及所述P型氮化物层逐层面连接，所述预应力层用于调控所述LED结构的应力。
【技术特征摘要】
1.一种LED结构，其特征在于，所述LED结构包括模板层、预应力层、N型氮化物层、量子阱层以及P型氮化物层，所述模板层、所述预应力层、所述N型氮化物层、所述量子阱层以及所述P型氮化物层逐层面连接，所述预应力层用于调控所述LED结构的应力。2.如权利要求1所述的LED结构，其特征在于，所述预应力层包括周期性排布的AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层，其中，x与y的值均大于或等于0.4。3.如权利要求2所述的LED结构，其特征在于，所述预应力层包括多个AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层，所述AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层交替排布，且x与y的值逐层增大，或逐层减小，或先增大后减小或先减小后增大。4.如权利要求3所述的LED结构，其特征在于，所述x与y的值成等差数列逐层增大，或逐层减小，或先增大后减小或先减小后增大。5.如权利要求2所述的LED结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN层与所述AlyGa1-yN层的厚度均小于100nm。6.如权利要求2所述的LED结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王君君，陈志涛，刘宁炀，何晨光，王巧，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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